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带温度补偿低功耗CMOS环形压控振荡器设计 　　摘 要： 基于UMC 65 nm CMOS 工艺，设计了一款应用于锁相环频率综合器中的带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。环形压控振荡器采用3级交叉耦合延时单元构成。仿真结果表明，压控振荡器输出频率范围为735～845 MHz；在温度补偿下，温度变化从-60～100 oC时，振荡器输出频率漂移中心频率790 MHz±10 MHz；当振荡频率为790 MHz时，在偏离其中心频率1 MHz处，压控振荡器的相位噪声为-99 dBc/Hz；1.2 V电源供电情况下，压控振荡器的功耗为0.96 mW；版图面积约为0.005 mm2。 　　关键词： 低功耗； CMOS环形压控振荡器； 温度补偿； 系统设计 　　中图分类号： TN752?34 文献标识码： A 文章编号： 1004?373X（2015）18?0098?04 　　Abstract： A low?power consumption CMOS voltage controlled oscillator （VCO） with temperature compensation was designed based on UMC 65 nm CMOS technical， which is applied to phase?locked loop frequency synthesizer and consists of three?stage cross coupling delay units. The simulation results verify that the output frequency range of VCO is 735～845 MHz， the drifting center frequency of VCO output is 790 MHz+10 MHz under temperature compensation when the temperature changes from 60 to 100 ℃， the phase noise is ?99 dBc/Hz at the place where 1 MHz deviation from the center frequency when the oscillating frequency is 790 MHz， and the power consumption of VCO is 0.96 mW under the condition of 1.2 V power supply. The chip area is approximate to 0.005 mm2. 　　Keywords： low?power consumption； CMOS annular VCO； temperature compensation； system design 　　0 引 言 　　锁相环频率合成器在射频前端电路设计中是一个极为重要的模块，它的性能指标在系统性能指标中起着决定性的作用。压控振荡器作为锁相环中的核心模块，在锁相环电路中提供稳定的本振信号。它的压控增益、相位噪声、频率调节范围直接决定着整个锁相环的性能[1]。从电路结构来划分，压控振荡器主要有环形压控振荡器和电感电容压控振荡器两种典型的电路形式。对于振荡频率为几百MHz范围的振荡器，电容电感压控振荡器虽然拥有良好的相位噪声特性、受温度和电源电压影响小的特点，但占用芯片面积过大，集成度低；而环形压控振荡器在能够提供相对较高的相位噪声下，同时具有占用芯片面积小和消耗功耗低的特点，被广泛应用于锁相环频率合成器中[2]。 　　基于UMC 65 nm CMOS工艺，设计了一款中心频率为790 MHz，同时带温度补偿的低功耗CMOS环形压控振荡器。 　　1 电路设计 　　设计的环形压控振荡器的总体结构如图1所示。环形压控振荡器采用3级差分结构，其设计包括以下4个模块，分别是环形压控振荡器延时单元、温度补偿电路、压控端的电压转换钳位电路和后级缓冲整形（Buffer）电路。 　　1.1 延迟单元设计 　　环形压控振荡器的延迟单元采用交叉耦合结构，如图2所示，交叉耦合单元左右对称，对称位置的管子尺寸参数完全相同。每个管子的功能如下：MP1和MP6为工艺补偿管，用于补偿由现代CMOS工艺中器件和电路参数随制造工艺偏差所带来的变化；MP2和MP5管用于温度补偿，同时又因为这两个管子是PMOS管，而PMOS管在CMOS工艺中制作在单独的N阱里面，其衬底电位可以独立调节，这里将此管子的衬底端口用于环形振荡器的间接压控端；MP3和MP6管作为交叉耦合管，形成正反馈，加快电平的翻转和管子状态的转换