1.线形光耦介绍.PDF

1. 线形光耦介绍 光隔离是一种很常用的信号隔离形式。常用光耦器件及其外围电路组成。由于光 耦电路简单,在数字隔离电路或数据传输电路中常常用到,如 UART 协议的 20mA 电流环。对于模拟信号,光耦因为输入输出的线形较差,并且随温度变化较大,限 制了其在模拟信号隔离的应用。 对于高频交流模拟信号,变压器隔离是最常见的选择,但对于支流信号却不适用。 一些厂家提供隔离放大器作为模拟信号隔离的解决方案,如ADI 的AD202,能够提 供从直流到几 K 的频率内提供0.025%的线性度,但这种隔离器件内部先进行电压- 频率转换,对产生的交流信号进行变压器隔离,然后进行频率-电压转换得到隔离 效果。集成的隔离放大器内部电路复杂,体积大,成本高,不适合大规模应用。 模拟信号隔离的一个比较好的选择是使用线形光耦。线性光耦的隔离原理与普通 光耦没有差别,只是将普通光耦的单发单收模式稍加改变,增加一个用于反馈的 光接受电路用于反馈。这样,虽然两个光接受电路都是非线性的,但两个光接受电 路的非线性特性都是一样的,这样,就可以通过反馈通路的非线性来抵消直通通 路的非线性,从而达到实现线性隔离的目的。 市场上的线性光耦有几中可选择的芯片,如 Agilent 公司的 HCNR200/201,TI 子 公司TOAS 的TIL300,CLARE 的LOC111 等。这里以 HCNR200/201 为例介绍 2. 芯片介绍与原理说明 HCNR200/201 的内部框图如下所示 其中 1、2 引作为隔离信号的输入,3、4 引脚用于反馈,5、6 引脚用于输出。1、2 引脚 之间的电流记作 IF,3、4 引脚之间和5、6 引脚之间的电流分别记作 IPD1和 IPD2。 输入信号经过电压-电流转化,电压的变化体现在电流 IF上,IPD1 和 IPD2基本与 IF成线性关系,线性系数分别记为 K1 和 K2,即 K1 与 K2 一般很小（HCNR200 是 0.50%）,并且随温度变化较大（HCNR200 的变化 范围在 0.25%到 0.75%之间）,但芯片的设计使得 K1 和 K2 相等。在后面可以看到, 在合理的外围电路设计中,真正影响输出/输入比值的是二者的比值 K3,线性光 耦正利用这种特性才能达到满意的线性度的。 HCNR200 和 HCNR201 的内部结构完全相 同,差别在于一些指标上。相对于 HCNR200,HCNR201 提供更高的线性度。 采用 HCNR200/201 进行隔离的一些指标如下所示： * 线性度：HCNR200：0.25%,HCNR201：0.05%; * 线性系数 K3：HCNR200：15%,HCNR201：5%; * 温度系数： -65ppm/oC ; * 隔离电压：1414V; * 信号带宽：直流到大于 1MHz。 从上面可以看出,和普通光耦一样,线性光耦真正隔离的是电流,要想真正隔离电 压,需要在输出和输出处增加运算放大器等辅助电路。下面对HCNR200/201 的典 型电路进行分析,对电路中如何实现反馈以及电流-电压、电压-电流转换进行推 导与说明。 3. 典型电路分析 Agilent 公司的 HCNR200/201 的手册上给出了多种实用电路,其中较为典型的一 种 如 下 图 所 示 ： 图2 设输入端电压为Vin,输出端电压为Vout,光耦保证的两个电流传递系数分别为 K1、K2,显然,,和之间的关系取决于和之间的关系。 将前级运放的电路提出来看,如下图所示： 设运放负端的电压为,运放输出端的电压为,在运放不饱和的情况下二者满足下 面的关系： Vo=Voo-GVi (1) 其中是在运放输入差模为 0 时的输出电压,G为运放的增益,一般比较大。 忽略运放负端的输入电流,可以认为通过R1 的电流为 IP1,根据 R1 的欧姆定律得： 通过 R3 两端的电流为 IF,根据欧姆定律得： 其中,为光耦 2 脚的电压,考虑到 LED 导通时的电压（）基本不变,这里的作为常 数对待。 根 据 光 耦 的 特 性 , 即 K1=IP1/IF (4) 将 和 的 表 达 式 代 入 上 式 , 可 得 ： 上式经变形可得到： 将的表达式代入（3）式可得： 考虑到G特别