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开关磁阻电机调速系统软硬件设计 　　摘要:介绍了以TMS320F2407芯片为核心的高性能数字化SRD控制器的设计,给出了硬件电路设计和软件设计策略,并对其中功率变换器的设计、驱动电路设计给出了详细说明。本系统具有良好的调速性能和控制特性。 　　关键词:数字信号处理器;开关磁阻电机调速系统;TMS320F2407芯片 　　 　　1 引言 　　20多年来,开关磁阻电机的研究在国内外都取得了很大的发展,而且作为一种新型调速驱动系统,它兼有直流传动和普通交流传动的优点,已经广泛应用于工业、家用电器、电动车辆等诸多领域。伴随着微电子技术的迅速发展和数字信号处理理论与技术的不断完善,数字信号处理器作为电子信息领域的新型高科技产品,更为电机系统的数字化控制注入了新的生机。随着DSP在电机控制领域的应用,基于DSP的开关磁阻电机调速系统的研究已如火如荼。 　　2 硬件设计方案 　　开关磁阻电机调速系统是由SRM、功率变换电路、DSP控制器、位置传感器等组成。 　　2.1 功率变换器的设计 　　功率变换主电路的结构型式很多,有不对称半桥型、双绕组型、电容裂相型、H型、电容转储型等。 　　可以用来构成SRD功率变换器的主开关器件主要有普通晶闸管、大功率晶体管(GTR)、可关断晶闸管(GTO)、MOS场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。电动机功率变换器主开关器件的选择与电动机的功率等级、供电电压、峰值电流、成本等有关;另外还与主开关器件本身的开关速度、触发难易、开关损耗、抗冲击性、耐用性及市场普及性有关系。 　　普通晶闸管是使用时间最长、伏安容量最大,并且价格比较便宜,但是因为没有自关断能力,开关频率低,强迫换相电路成本高、可靠性差,故不适宜做功率电路中开关元件。 　　双极型功率晶体管(GTR)的开关频率高,具有自关断能力,在中、小容量的SRD应用广泛,但其电压、电流过载能力差,承受浪涌电流的能力差,存在二次击穿现象,不易保护。 　　可关断晶闸管(GTO)在不断关断时要求相当大的反向控制电流,关断控制实现有难度,并存在管压降比普通晶闸管高等不足,因此作为功率电路的开关的应用并不广泛。 　　功率场效应管 MOSFET是一种单极型的电压控制器件,具有驱动电路简单、开关速度快、热稳定性好等优点,但是容量有限制并且比双极型功率晶体管通态压降大,只适用于低电压、小功率的开关磁阻电机系统中。 　　绝缘栅双极型晶体管 (IGBT)是80年代出现的新型复合开关器件,具有工作频率较高,控制实现比较简单,而且单管的电压定额与电流定额也已经做得很大,已经可以满足对本装置功率器件的要求,因此经综合考虑选用IGBT作为本系统SRD功率变换器的主开关器件。本文采用H型的功率电路,如图1所示。 　　A、B、C、D为SRM四相绕阻,VD1-VD4为续流二极管,V1-V4为智能模块IPM。AB,CB,CD,AD两相同时通电,循环导通工作。若V1,V3同时导通,则A,B相通电。若V1关断,V2闭合,则A相关断,C相开始导通,此时,A相绕组将通过二极管VD1续流,C相绕组也构成回路,使B相电流增大,中性点电位必然增高,促使A相续流迅速衰减,强行换相。紧接着关断V3,开通V4,则C,D相导通,依次循环导通,电机就连续运行起来。 　　2.2 主开关驱动电路的设计 　　本系统采用的驱动电路模块是EXB84I,该电路的优点是驱动电路集成化,抗干扰能力强,速度较高,保护功能较完善,可实现IGBT的最优驱动。 　　IGBT对驱动电路的要求注意以下几个问题:(1)动态驱动能力强。能为IGBT栅极提供具有陡峭前后沿的驱动脉冲。IGBT的开关速度与其栅极控制信号的变化速度密切相关。IGBT的栅极电压源特性呈非线性电容性质,用小内阻的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极控制电压有足够陡的前后沿,使IGBT的开关损耗尽量小。(2)能向IGBT提供适当的正向栅压。(3)能向IGBT提供足够的反向栅压。在IGBT关断期间,由于电路中其它部分工作,会在栅极电路中产生一些高频振荡信号,这些信号轻则会使本该截止的IGBT处于微通状态,增加管子的功耗,重则将使逆变电路处于短路直通状态,因此,最好给应处于截止状态的IGBT加反向栅压(幅值一般为:5V~15V),使IGBT在栅极出现开关噪声时仍能可靠截止。(4)有足够的输入、输出电隔离能力。驱动器具有电隔离能力,可以保证设备的正常工作,但是这种隔离不应影响驱动信号的正常传输。(5)具有栅压限幅电路,保护栅极不被击穿。IGBT栅极极限电压为±20V,驱动信号超出此范围就可能破坏栅极。(6)理想的驱动电路要求输入、输出信号传输无延时。这一方面能够减少系统响应滞后,另一方面能提高保护的快速性。 　　2.3 位置传