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耐高压单色QLED器件制备 　　【摘 要】本文通过磁控溅射和有机蒸镀的方法分别制备了量子点LED（QLED）的ZnO电子传输层和NPB空穴传输层，构建了基于CdSe/CdS/ZnS量子点作为发光层的红光QLED。通过优化电子传输层和空穴传输层制备工艺得到了稳定的耐高压单色器件，测试结果表明该器件在10-15V范围均可持续稳定地发出红光。 　　【关键词】量子点；发光二极管；磁控溅射；有机蒸镀 　　中图分类号： O472 文献标识码： A 文章编号： 2095-2457（2018）04-0124-003 　　Manufacture of high voltage monochrome QLED device 　　ZHANG Li MA Yong* 　　（College of Physics and Electronic Engineering，Chongqing Normal University，Chongqing 401331，China） 　　【Abstract】In this paper， ZnO electron transport layer and NPB hole transport layer were prepared by magnetron sputtering and organic vapor deposition，respectively. Red QLED based on CdS/CdS/ZnS quantum dots emitting layer was manufactured. A stable high voltage monochrome device was obtained by optimizing the electron transport layer and hole transport layer preparing technology. The test results showed that the device can emit monochrome red light at the voltage range from 10 to15V steadily. 　　【Key words】quantum dots；LED；magnetron sputtering；organic vapor deposition 　　0 引言 　　无机量子点半导体是一种无机纳米级半导体材料。这种无机量子点半导体具有高的稳定性[1-2]。无机量子点半导体尺度比本身的激子波尔半径小，因此存在显著的量子局域效应，从而使半导体的带隙变宽。通过调节量子点半导体的尺寸就可以改变半导体的带隙及其发光的中心波长[3-5]。从1994年用量子点作为发光材料被提出以后，量子点显示得到了较大的发展，有非常大的可能取代传统的LCD（Liquid Crystal Display）显示器成为下一代显示器[6-8]。 　　量子点发光二极管（QLED）的雏形早在二十世纪九十年代初就被设计出来。早期的器件结构非常简单：在量子点两端直接接通电极，以量子点作为电子、空穴传输层也作为发光层，这种器件结构导致器件的效率非常低。在量子点发光二极管的后续研究中，逐步引入电子与空穴传输层，量子点作为中间的单独发光层，这种类似于三明治设计的结构沿用至今。 　　在寻找量子点发光二极管空穴、电子传输层材料过程中。一方面，使用无机物作为量子点二极管的传输层，这是因为无机物作为传输层稳定性很好，但是电子和空穴传输层都使用无机物制作出的器件具有非常大的电流密度[9-10]。另一方面，使用有机物作为量子点器件的传输层可以降低器件的电流密度，因为有机物容易受到水蒸汽、氧气等腐蚀，会引起器件性能下降[11]。因此，使用有机材料作为空穴传输层与无机材料作为电子传输层制备有机――无机杂化的QLED，是一个非常好的选择。 　　本文采用CdSe/CdS/ZnS[12-14]红色量子点制备了三明治结构的单色红光QLED器件，对其工艺流程进行了探讨，并对器件的性能指标进行了分析讨论。 　　1 器件的制备 　　三明治结构QLED器件的核心有三层，分别是电子传输层、量子点发光层与空穴传输层，其中电子传输层要求具有较高的电子迁移率以及较大的电子亲和势，这有利于电子的传输，而且电子传输层需要与量子点相比具有较高的激发态能级，使电子空穴复合在量子点层发生而不发生在?子传输层。因此，ZnO是一种非常理想的电子传输层材料。同时，器件的稳定性要求传输层是均匀致密的薄膜。 　　对于有机空穴传输层的选择要求光透过率较高，并且要在可见光范围内透明；能够阻挡电子泄露，同时为发光层传导空穴；在大气环境中化学稳定，不与邻层发生化学反应。自从发现以联苯为核心