igbt、igct的运用跟前景.pdfVIP

一一一一一一二竺些三兰丛竺竺巴竺哩渔竺、 ‘ ._ _ IGBT IGCT的应用和前景 徐南屏 中国电工技术学会电力电子学会 最近几年来，电力半导体器件飞速发展，在大功率应用领域，尤其以IGBT和IGCT大功率开关型 器件的发展尤为迅速。大功率IGBT器件额定值2400A/1200V,1800A/1800V,1500A/2500V,1200A/3300V 模块在今天已相当普及应用。最近国外公司己正式推出更大功率的IGBT模块，额定参数为600A/6500Vo 现在IGBT功率开关器件正在进入到大功率双极型器件GTO占统治的领域和功率范围，而且正在发展更 大电流和更高耐压的IGBT。结构的发展有传统的单面冷却的模块，也出现了圆并型压接式结构，有利于 热的传导。 IGCT是由双极型器件GTO引伸出的新型大功率开关器件，近几年应用领域和应用场合的迅速扩展超 出人们的预料，而且器件本身随着市场的需求也得到快速发展。现在一般有反向导通型和非对称型二种器 件，采用相似GTO的圆并型陶瓷外壳封装，电流容量到4000A,阻断电压高达V0055. 目前已经发表阻 断电压10000伏的IGCT器件的问世。 众所周知，IGBT是MOSFE7，和双极型晶体管的电路集成，它将MOSFET的快速开关特性和双极型 晶体管正向特性巧妙地结合，控制比较简单而且控制功率很小。IGBT有单相开关模块，单臂变换器和完 整的逆变电路模块。模块的铜金属基板对地绝缘，因此绝缘材料除了有良好的绝缘性能外还要有良好的导 热性能。IGBT模块设计和制造要求结构紧凑，以满足低感抗的功率逆变器的需要。 IGBT模块实际应用时，需要附加电子控制板或称IGBT驱动板，能精确调节参数以适用于逆变器需 要和IGBT的正确使用。 IGCT是从GTO派生出来的，利用 “硬驱动”门控单元实现关断功能，关断时IGCT从晶闸管状态迅 速过渡到晶体管状态，电路中可以不用Sunbber,IGCT兼有大功率晶闸管的正向特性和双极型晶体管的关 断特性。IGCT器件无论是非对称还是反向导通型，都采用圆并陶瓷外壳封装压接式结构。反向导通型器 件有一个集成在同一硅片上的续流二极管，对大多数开关运行状态应用是十分有用的结构，而非对称IGCT 需要外部另外的二极管与之配合。由于IGCT器件对地电位不绝缘，所以器件必须各自分别安装到独立的 又相互绝缘的散热器上，门极驱动器是IGCT器件的一部分，所以不必另外配置和进行专门调节。 1基本比较 价格是十分重要的恒量产品和技术的因素，功率半导体器件定价通常采取所用硅片面积来估算。因此 首先将工资费用，外壳，成品率等因素排除在外，那么价格主要取决于所用硅片面积多少。功率器件的比 较是基于硅片热接触面积，由此推出制造器件大约所需硅片的数量。 IGBT模块以1200A/3300V器件为例，根据有关资料，其热接触面积的外形尺寸大约是 140mmX 190mm，面积是26600mm2。这个面积包括IGBT和反并联的续流二极管所用硅片，它们是由许多芯片并 联组成的。由于芯片之间有间隙，而且与外壳之间有间距，因此硅片实际有效面积大约是总面积的70%, 即18500mm2。 与上述IGBT模块相比较的IGCT是非对称器件4000A/4500V元件，热接触面积的直径是。115mm左 右，面积是10380mm2。相应的续流二极管是独立的圆并型结构，额定值是1000A/4500V，它的热接触面 积的直径是。63mm，面积大约是3010MMZ。因此IGCT和二极管总的热接触相应硅片面积是13390mmso 进行二种器件的对比，除了器件本身以外，还要考虑与器件相关的装置系统特性。IGBT模块开关器 件，所需的续流二极是集成在模块管壳内部，为此必须要有良好的绝缘。逆变器所需的六只模块是安装在 足够大的单只散热器上。下面讨论的前提是基于上面的条件。 中国电口二效术学会 电办 电子学会第,.届学术年会论文集 IGCT和续流二极管，封装在二只独立的圆并形陶瓷外壳中，而每个器件上下装有二只散热器。因 为这种器件内部没有特殊绝缘处理，所以散热器之间必须要有良好的绝缘性能，而且对地电位绝缘。下面 的讨论也基于这样条件。 2逆变器的一般特性及器件的功耗计算 逆变器的输出特性: 逆变器输处功率