低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法.docVIP

GB/T 1557—×××× GB/T 1557—×××× PAGE PAGE 1 国家质量技术监督局 发布××××-××-××实施××××-×× 国家质量技术监督局 发布 ××××-××-××实施 ××××-××-××发布 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法 Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities （等同） （讨论稿） GB/T ××××—×××× 中华人民共和国国家标准 ICS GB/T ××××—×××× GB/T ××××—×××× PAGE II PAGE 1 前 言 本标准等同采用SEMI MF 1630-0704《低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的标准方法》。 本标准与SEMI MF 1630-0704标准相比，主要有如下改动： 在“规范性引用文件”中，凡我国已有国家标准的，均用相应的国家标准代替SEMI MF 1630-0704中的“引用文件”。 用实际测量到的红外谱图代替SEMI MF 1630-0704标准中的图2、图3。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所提出。 本标准由中国有色金属工业标准计量质量研究所归口。 本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司。 本标准主要起草人：梁洪、 、 、贺东江。 本标准为首次发布。 PAGE 6 PAGE 5 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量 的标准方法 意义和用途 电子级多晶硅生产者和使用者都可采用LTFT-IR光谱来对多晶硅进行质量保证和研发目的的测量。 LTFT-IR光谱能定性和定量分析痕量B、P、Al、As、In、Ga等元素。 LTFT-IR可用于FZ、CZ及其它（掺杂或不掺杂的）单晶硅分析，其检测范围如2.2 所述。 硅中碳含量可参照SEMI MF 1391的方法，在低温下进行测量。由于低温下双声子谱带减弱，透射光强增大，可以让更多信号到达检测器，使信噪比提高，因而在15K低温下可以测量比室温下更低的碳浓度。同时碳的吸收谱带变窄， FWHM由5～6cm-1降到低温下FWHM的2.5～3.0cm 范围 本标准适用于检测硅单晶中的电活性元素硼（B）、磷（P）、砷（As）、铝（Al）、锑（Sb）和镓（Ga）的含量。 本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为0.01ppba～5.0ppba。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。 局限性 样品必须冷却到低于15K的低温下测量电活性元素。在将样品固定在冷头上时，须注意使样品和冷头之间保持良好的接触，以获得较高的热传导效率。氧在1136cm-1和1128cm-1的吸收谱带对温度十分灵敏，可用于检测样品温度。当样品温度不到15K时，在1136cm-1的吸收强度是1128cm-1吸收强度的3倍，而低于15K时，其比率将大于3。 如果没有足量连续的白光，补偿施主和受主将不产生吸收，故白光强度须足够强以完全抵消所有的补偿施主和受主。每台仪器系统的白炽灯的光强需要测定，使用者须增加光线强度，直到电活性杂质吸收峰的面积/高度不受光强增加的影响。 水蒸汽吸收谱可干扰数个吸收谱的测量。所以，至少每天都要采集背景光谱。必须除去光路中（含样品室）的水汽。更换样品时，应保证样品室或光路中的其他部分不受水汽的影响。 CZ单晶硅中氧含量较高时，会出现热施主吸收谱线。这些谱线在400cm-1～500cm-1之间，影响Al（473cm-1）、Ga（548cm-1）和As（382cm-1）的测量。氧的热施主可以通过退火的方法消除。 多级内部反射会产生次级干涉和基线偏离。通过改变样品厚度、表面处理方式或分辨率可以消除次级干涉和基线偏离。 较高的锑（Sb）的含量会影响B（320cm－1）的吸收谱带，Sb的最强吸收谱线在293cm-1，但次强吸收谱线则位于320cm-1。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 国家标准 GB/T 13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 SEMI标准 SEMI MF1723 用区熔拉