第五章典型激光器介绍kmdq8xg0.pptVIP

二、 异质结半导体激光器 理论分析及实验研究表明，同质结激光器难以得到低阈值电流和实现室温连续工作。为此,在同质结的基础上发展了异质结半导体激光器,从而大大提高了半导体激光器的实际应用价值。 1.异质结及其特点 如图（5-32）所示,对于GaAs类半导体激光器,由同种材料——GaAs构成的p-n结即为同质结。若一侧为GaAs,而另一侧为GaAlAs所构成的结为异质结, 若个半导体激光器仅有一个异质结则称为单异质结(SH)激光器,两个异质结构为双异质结(DH)激光器。 图(5-32) 同质结、异质结结构示意图 从提高半导体激光器的性能要求出发,对异质结两侧的材料有如下技术要求: (1)要求两种材料的晶格常数尽可能相等,若在结合的界面处有缺陷,载流子将在界面 处复合掉,不能起到有效的注入、放大和发光的作用; (2)为了获得较高的发光效率,要求GaAlAs材料是竖直跃迁型的; (3)为了获得高势垒,要求两种材料的禁带宽度有较大的差值。 * 由于C02分子0001能级与N2分子v=1能级十分接近,能量转移十分迅速。此外,N2分子的v=2~4能级与C02分子0002~0004也十分接近,相互间也能发生共振转移,处于0002~0004的C02分子与基态C02分子碰撞可将它激励至0001能级。 图(5-13) 与产生激光有关的CO2分子能级图 在以上三种激发途径中,共振转移的几率最大,作用也最为显著。 C02分子激光跃迁下能级的抽空主要依靠气体分子间的碰撞。 一旦实现了(0001)与 (1000)、 (0200) 之间的粒子数反转，即可通过受激辐射，产生: 0001→1000跃迁产生10.6um波长的激光光0001→0200跃迁产生9.6um波长的激光。 由于以上跃迁具有同一上能级,而且0001→1000跃迁的几率大得多,所以C02激光器通常只输出10.6μm激光。若要得到9.6um的激光振荡,则必须在谐振腔中放置波长选择元件抑制10.6um激光振荡。 * 三、 CO2激光器的输出特性 相应于CO2激光器的输出功率，其放电电流有一个最佳值。CO2激光器的最佳放电电流与放电管的直径，管内总气压，以及气体混合比有关。 实验指出：随着管径增大，最佳放电电流也增大。 例如：管径为 20～30mm 时，最佳放电电流为30～50mA 管径为50～90mm 时，最佳放电电流为120～150mA (1) 放电特性 CO2激光器的转换效率是很高的，但最高也不会超过40％，这就是说，将有60％以上的能量转换为气体的热能，使温度升高。而气体温度的升高，将引起激光上能级的消激发和激光下能级的热激发，这都会使粒子的反转数减少。并且，气体温度的升高，将使谱线展宽，导致增益系数下降。特别是，气体温度的升高，还将引起CO2分子的分解，降低放电管内的CO2分子浓度。 (2) 温度效应 * 5.2.3 Ar+离子激光器 一、 Ar＋激光器的结构 Ar＋激光器一般由放电管、谐振腔、轴向磁场和回气管等几部分组成。如图(5-14)所示为石墨放电管的分段结构 。 图(5-14) 分段石墨结构Ar+激光器示意图 * 二、 Ar＋激光器的激发机理 Ar＋激光器与激光辐射有关的能级结构如图(5-15)所示 Ar+激光器的激活粒子是Ar+， Ar+激光器的激发过程分两步进行：①通过气体放电，将氩原子Ar电离,②再通过放电激励将Ar+激发到激光上能级 图（5-15）为Ar+离子与激光产生过程有关的能级图。中性Ar原子在放电过程中，与快速电子碰撞后电离,形成处在基态P5上的Ar+离子。该基态Ar+离子再与高速电子碰撞，被激发到高能态。当激光上下能级间生产粒子数反转时，即可生产激光。 * 激光跃迁上能级(3P44P )粒子的积聚主要通过三种途径实现: (1)基态Ar+与电子碰撞后直接跃迁到3P44P 能级; (2)基态Ar+与电子碰撞后跃迁至高于3P44P 的其他能级,再通过级联辐射跃迁至3P44P 能级; (3)基态Ar+和电子碰撞跃迁至低于3P44P 的亚稳态能级后再次与电子碰撞并跃迁至3P44P 能级。 由于Ar原子的电离能量(≈15eV)和激光跃迁上能级的激发能量(≈20eV)较高,正常运转所要求的平均电子动能(电子温度)很高。为了提高电子温度,氩离子激光器中的充气压强一般在150Pa以下。但低压强意味着Ar原子密度小,为了提高电离和激发速率,必须增加放电管内的电子密度。 * 所以氩离子激光器必须采用大电流孤光放电激发,放电管内电流密度通常超过106A/m2。氩离子