华科模电ch41半导体三极管放大电路基础.pptxVIP

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2018-09-15 发布于上海
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华科模电ch41半导体三极管放大电路基础.pptx

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华科模电ch41半导体三极管放大电路基础

4 半导体三极管及放大电路基础;本章主要内容;4.1 半导体三极管;4.1.1 BJT的结构简介;;;;;;IB;;3. 电流分配关系;;4. 三极管的三种组态;RL;+; 综上所述，三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度，且基区很薄。（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。三极管的放大作用是由电流控制的。;;;;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );;4.1.4 BJT的主要参数; (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const; (3) 共基极直流电流放大系数 =（IC－ICBO）/IE≈IC/IE ; 2. 极间反向电流;;(1) 集电极最大允许电流ICM;;4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响;(1) 对输入特性曲线的影响