4HSiC同质外延绿带发光和缺陷关系.PDFVIP

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2018-09-14 发布于湖北
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4HSiC同质外延绿带发光和缺陷关系.PDF

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57 7 2008 7 Vol. 57,No.7, July,2008 10003290200857(07)445603 CT PHYSIC SINIC 2008 Chin.Phys.Soc. 4HSiC * 贾仁需张义门张玉明郭辉栾苏珍 ( , , 710071) ( 2008 124; 2008 2 29 ) (PL) CVD 4HSiC ,( GL) . ( SEM) (SIMS) X ( XPS) 4HSiC .,GL 4HSiC ( V ), V ( C C )GL .GL (FWHM) V . C GL 4HSiC . : , 4HSiC , PACC: 7155E, 7855C , 4HSiC PL . SEM, 1引言 XPS,SIMS , , ( GL) (SiC) . , . , SiC 2样品及实验条件 [ 1, 2] Epigress .,4HSiC SiC [ 11] . 4HSiC VP508 CVD . [3,4] , , SiC SiCrystal. G Si , ( 0001) 8 2 18 - 3 n 4HSiC , 5! 10 cm . .4HSiC SiH4 ( 20 mlmin) , C3H8 ( 10 mlmin) ., SiC ;TM l , [5] . . 1570∀ , [6] (RTPL) 10 kPa.1,2 l p 4HSiC, , (RTPL) 4H 16 - 3 15 - 3 10! 10 cm , 11! 10 cm . SiC . ( PL ) 4HSiC , (GL) HeCr , 325 nm, 5 mW,, 4HSiC . , . , GL JSM6360, [7 10] . ,GL