第四章个案分析与结果-以蚀刻技术为例.PDFVIP

第四章 個案分析與結果－以蝕刻技術為例 4 第四章 個案分析與結果－以蝕刻技術為例 本章為個案分析。第一節先介紹蝕刻技術的背景與原理。第二節利用計量分 析針對不同的類別做探討，最後繪製成圖表以便觀察技術發展趨勢。第三節改用 文字探勘方法，取得主題關鍵字和研究領域地圖，透過觀察和比較來瞭解技術發 展趨勢。 第一節 蝕刻技術介紹 一、 基本概念 治 蝕刻技術（ Etching ）簡單的概念就是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而 政 大 移除的技術。蝕刻技術可以分為 「濕蝕刻（Wet Etching ）」及 「乾蝕刻（Dry Etching ）」 立 學 兩類。在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的；而乾蝕刻 國 通常是一種電漿蝕刻（ Plasma Etching ）。電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿 ‧ 中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基（ Radical ）與晶 ‧ 片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。 N y a t 二、濕蝕刻 t i i s o r n e a v 濕蝕刻是將被蝕刻物浸沒於適當的化學溶液中，或將化學藥劑噴灑至被蝕刻 l i C n h U e i 物上，經由溶液與被蝕刻物間的化學反應 ，來移除表面的原子，以達到蝕刻的目 ngch 的。濕蝕刻三步驟為擴散→反應→擴散出，如圖 4-1所示。 主溶液 邊界層 反應物 生成物 光阻 化學反應 薄膜 底材 圖 4-1 ：濕蝕刻溶液與薄膜所進行的反應機制