- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
半导体产业一周观察-华夏幸福
半导体产业一周观察
第 112 期
华夏幸福产业研究院 2018 年8 月27 日
一周观察摘要:工信部提出在国家层面建设与稀土相关的集成电路材料生产
应用示范平台,甘肃提出把天水、兰州新区打造成西部地区重要的集成电路产业
基地。二季度全球硅片出货量再创历史新高;SK 海力士公布全球首款4D 闪存;
英伟达推出新一代“图灵”芯片;燕东微电子入主遂宁,建设国内最大6 英寸芯
片生产基地;万业企业收编凯世通,主攻国产半导体关键设备领域。
◆政策速递
1. 工信部“南巡”释信号:搭建稀土集成电路材料示范平台。近日,工业和
信息化部副部长王江平带队赴江西省赣州市、福建省龙岩市调研稀土产业发展情
况时指出,要推动稀土新材料发展应用,在省级层面建设稀土功能材料测试平台、
应用平台,在国家层面建设与稀土相关的集成电路材料生产应用示范平台。稀土
发光材料是集成电路领域可以应用的材料之一。在国家层面建设与稀土相关的集
成电路材料生产应用示范平台,将加快稀土新材料在半导体领域的导入,有助于
提升我国半导体材料的能力与实力。同时,这也将为稀土产业发展带来新的发展
思路与方向,甚至产业格局的升级。
2. 甘肃:把天水、兰州新区打造成集成电路基地。近日,甘肃省政府办公厅
出台《关于扩大和升级信息消费的实施意见》。《意见》指出,到2020 年,全省
信息消费规模达500 亿元,年均增长 12%以上,拉动相关领域产出达到1200 亿
元。《意见》指出,加大新一代半导体材料和元器件工艺技术研发,提升集成电
路芯片设计、制造、新型功率器件和集成电路封装测试能力。支持开展存储器及
超大规模集成电路生产能力建设、光学蚀刻集成电路引线框架等项目。加快推进
兰州新区三维大数据物联网智能制造产业园、华天电子科技园、数模混合集成电
路基础研发能力建设等项目,把天水、兰州新区打造成西部地区重要的集成电路
产业基地。
◆市场聚焦
3. 2018 年第二季度硅片出货量创历史新高。根据 SEMI SMG (Silicon
1
Manufacturers Group )季度分析数据,全球硅片面积出货量在2018 年第二季度达
到31.6 亿平方英寸,从上一季度的30.84 亿平方英寸增长2.5 %,比2017 年第二
季度出货量高出6.1 %。
表 1 2017Q1-2018Q2 全球硅片面积出货量
Millions of Square Inches
1Q2017 2Q2017 3Q2017 4Q2017 1Q2018 2Q2018
Total 2,858 2,978 2,997 2,977 3,084 3,160
数据来源:SEMI
◆技术热点
4. SK 海力士宣布业内首款 4D 闪存。在近日举行的Flash Memory Summit
上,SK 海力士宣布推出全球首款4D 闪存。从现场给出的技术演示来看,4D 闪
存和此前长江存储的Xtacking™十分相似,只不过外围电路(PUC ,Peri.Circuits )
在存储单元下方,优点有三,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本
降低。参数方面,4D 闪存是V5 512Gb TLC ,采用96 层堆叠、I/O 接口速度 1.2Gbps
(ONFi 4.1 标准)、面积13 平方毫米,今年第四季度出样。性能方面,V5 4D 芯
片面积相较于V4 3D 减小20% 、读速提升30%、写速提升25% 。另外,V5 4D
也规划了QLC 闪存,通过96 层堆叠,单Die 最小1Tb,明年下半年出样。
图1 SK 海力士首款4D 闪存
数据来源:公开网络,华夏幸福产业研究院整理
SK 海力士内部的4D 闪存已经推进到了128 层堆叠,很快可以做到单芯片
512GB,2025 年做到单芯片8TB。目前,SK 海力士的3D NAND 是72 层堆叠,
您可能关注的文档
最近下载
- 金海通分选机操作手册Pick And Place Manual20.pdf
- 电力工程项目管理面临难题及应对策略探讨.doc VIP
- 2025年一年级数学加减法口算题每日一练(25套打印版) .pdf VIP
- 20以内加减法口算题每日练 (打印版).docx VIP
- 2026年高考时事政治高频考点(91条).doc
- 2011年一级建筑师场地作图真题及详细解答.pdf VIP
- 应用电化学:锌空气电池.ppt VIP
- 冀教版(2024)新教材八年级数学上册第十四章14.3.3 实数的大小比较 课件.pptx VIP
- (英语)高考英语过去完成时真题汇编(含答案) .pdf VIP
- 小学足球脚内侧踢球教案.doc VIP
原创力文档


文档评论(0)