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半导体产业一周观察-华夏幸福

半导体产业一周观察 第 112 期 华夏幸福产业研究院 2018 年8 月27 日 一周观察摘要:工信部提出在国家层面建设与稀土相关的集成电路材料生产 应用示范平台,甘肃提出把天水、兰州新区打造成西部地区重要的集成电路产业 基地。二季度全球硅片出货量再创历史新高;SK 海力士公布全球首款4D 闪存; 英伟达推出新一代“图灵”芯片;燕东微电子入主遂宁,建设国内最大6 英寸芯 片生产基地;万业企业收编凯世通,主攻国产半导体关键设备领域。 ◆政策速递 1. 工信部“南巡”释信号:搭建稀土集成电路材料示范平台。近日,工业和 信息化部副部长王江平带队赴江西省赣州市、福建省龙岩市调研稀土产业发展情 况时指出,要推动稀土新材料发展应用,在省级层面建设稀土功能材料测试平台、 应用平台,在国家层面建设与稀土相关的集成电路材料生产应用示范平台。稀土 发光材料是集成电路领域可以应用的材料之一。在国家层面建设与稀土相关的集 成电路材料生产应用示范平台,将加快稀土新材料在半导体领域的导入,有助于 提升我国半导体材料的能力与实力。同时,这也将为稀土产业发展带来新的发展 思路与方向,甚至产业格局的升级。 2. 甘肃:把天水、兰州新区打造成集成电路基地。近日,甘肃省政府办公厅 出台《关于扩大和升级信息消费的实施意见》。《意见》指出,到2020 年,全省 信息消费规模达500 亿元,年均增长 12%以上,拉动相关领域产出达到1200 亿 元。《意见》指出,加大新一代半导体材料和元器件工艺技术研发,提升集成电 路芯片设计、制造、新型功率器件和集成电路封装测试能力。支持开展存储器及 超大规模集成电路生产能力建设、光学蚀刻集成电路引线框架等项目。加快推进 兰州新区三维大数据物联网智能制造产业园、华天电子科技园、数模混合集成电 路基础研发能力建设等项目,把天水、兰州新区打造成西部地区重要的集成电路 产业基地。 ◆市场聚焦 3. 2018 年第二季度硅片出货量创历史新高。根据 SEMI SMG (Silicon 1 Manufacturers Group )季度分析数据,全球硅片面积出货量在2018 年第二季度达 到31.6 亿平方英寸,从上一季度的30.84 亿平方英寸增长2.5 %,比2017 年第二 季度出货量高出6.1 %。 表 1 2017Q1-2018Q2 全球硅片面积出货量 Millions of Square Inches 1Q2017 2Q2017 3Q2017 4Q2017 1Q2018 2Q2018 Total 2,858 2,978 2,997 2,977 3,084 3,160 数据来源:SEMI ◆技术热点 4. SK 海力士宣布业内首款 4D 闪存。在近日举行的Flash Memory Summit 上,SK 海力士宣布推出全球首款4D 闪存。从现场给出的技术演示来看,4D 闪 存和此前长江存储的Xtacking™十分相似,只不过外围电路(PUC ,Peri.Circuits ) 在存储单元下方,优点有三,一是芯片面积更小、二是处理工时缩短、三是成本 降低。参数方面,4D 闪存是V5 512Gb TLC ,采用96 层堆叠、I/O 接口速度 1.2Gbps (ONFi 4.1 标准)、面积13 平方毫米,今年第四季度出样。性能方面,V5 4D 芯 片面积相较于V4 3D 减小20% 、读速提升30%、写速提升25% 。另外,V5 4D 也规划了QLC 闪存,通过96 层堆叠,单Die 最小1Tb,明年下半年出样。 图1 SK 海力士首款4D 闪存 数据来源:公开网络,华夏幸福产业研究院整理 SK 海力士内部的4D 闪存已经推进到了128 层堆叠,很快可以做到单芯片 512GB,2025 年做到单芯片8TB。目前,SK 海力士的3D NAND 是72 层堆叠,

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