半导体器件的电磁损伤效应与机理研究-微电子学与固体电子学专业论文.docx

万方数据 万方数据 西安电子科技大学 学位论文独创性（或创新性）声明 秉承学校严谨的学风和优良的科学道德，本人声明所呈交的论文是我个人在 导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标 注和致谢中所罗列的内容以外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成 果；也不包含为获得西安电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的 材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中做了明确的说 明并表示了谢意。 申请学位论文与资料若有不实之处，本人承担一切的法律责任。 本人签名： 日 期： 西安电子科技大学 关于论文使用授权的说明 本人完全了解西安电子科技大学有关保留和使用学位论文的规定，即：研究 生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属西安电子科技大学。学校有权保 留送交论文的复印件，允许查阅和借阅论文；学校可以公布论文的全部或部分内 容，可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存论文。同时本人保证，毕业后 结合学位论文研究课题再撰写的文章一律署名单位为西安电子科技大学。 （保密的论文在解密后遵守此规定） 本学位论文属于保密，在 年解密后适用本授权书。 本人签名： 导师签名： 日 期： 日 期： 摘 要 摘 要 电磁脉冲炸弹和高功率微波武器等新概念电子战武器的快速发展以及雷达和 无线通信系统的广泛使用使得电子系统面临的电磁环境日益复杂化，另一方面半 导体器件和集成电路特征尺寸的不断缩小、功耗的不断降低以及工作频率的不断 提高使得电子系统对电磁能量的敏感度和易损性与日俱增，因此研究电磁脉冲 (electromagnetic pulse, EMP)对电子系统的干扰和损伤效应进而提高电子系统的抗 干扰能力变得越来越重要。电磁脉冲可通过天线、电缆和孔缝等耦合进入电子系 统内部，引起半导体器件的退化或损伤。因此研究 EMP 对半导体器件的损伤效应 与机理是电子系统 EMP 效应研究的基础。 本论文采用半导体器件数值仿真与实验相结合的方法，研究了几种典型半导 体器件的 EMP 损伤效应与机理，主要的研究内容和研究成果包括以下几个方面： 1. 采用半导体器件和工艺仿真工具 ISE-TCAD 建立了 p-n-n+二极管的二维数 值仿真模型，考虑了器件的自热、雪崩碰撞电离等效应，对 EMP 作用下二极管的 烧毁过程进行了瞬态电热仿真，分析了二极管内部的电场强度、电流密度和温度 分布的瞬时变化，讨论了影响二极管烧毁的因素，计算了二极管的损伤能量阈值。 仿真结果表明，二极管烧毁是由热二次击穿导致的。雪崩产生率随温度升高而减 小以及热产生率随温度升高而增大是热二次击穿发生的根本原因，二次击穿后二 极管表现出的负阻效应导致电流集中，使二极管局部温度迅速升高，从而引起二 极管烧毁。二次击穿触发温度随二次击穿延迟时间增加而降低，随载流子寿命增 大而升高。仿真得到的二极管损伤能量阈值随脉冲宽度的增加而增大，脉宽较短 时，损伤能量近似为一常数，脉宽较长时，损伤能量与脉宽的平方根近似成正比， 与现有热模型一致。与实验数据的定量比较结果表明，仿真得到的能量阈值比热 模型的预测更精确。 2. 建立了 PIN 限幅二极管的二维电热仿真模型，研究了其在 EMP 作用下的 瞬态响应，分析了电流丝形成及运动机理，讨论了电流丝运动方式及其对 PIN 二 极管损伤的影响。结果显示，PIN 二极管发生雪崩击穿后由于空间电荷产生的负阻 效应引起的不稳定性致使 I 层内形成雪崩电流丝，局部温度迅速升高。雪崩电离率 的负温度系数驱使雪崩电流丝向低温区运动，电流丝运动促使器件 I 层内的横向温 度分布趋于均匀，避免因局部过热而导致器件快速烧毁。电流丝到达器件边缘后 温度迅速升高，若低于临界温度，电流丝沿原路返回或跳跃到低温区；若超过临 界温度，雪崩电流丝转变为热电流丝，被钉扎在器件边缘，温度升高的同时不断 收缩，导致 PIN 二极管局部烧毁。在亚微秒脉宽内，损伤能量随脉宽减小呈下降 趋势，电流丝形成位置的不确定性致使 PIN 二极管损伤能量表现出一定的离散性。 i 半导体器件的电磁损伤效应与机理研究 3. 针对典型高频小信号双极型晶体管(BJT)，建立了其二维电热模型，研究了 强电磁脉冲从基极注入时 BJT 的瞬态响应。结果表明，BJT 的损伤机理与脉冲幅 度有关，低脉冲幅度下 BJT 损伤是由于发射结发生雪崩击穿导致局部烧毁，烧毁 点位于发射结边缘的柱面区；而在高脉冲幅度下，基区-外延层-衬底组成的 p-n-n+ 结构发生了二次击穿，导致靠近发射极一侧的基极边缘由于电流密度过大而先于 发射结烧毁；BJT 损伤能量随脉冲幅度升高呈现减小-增大-减小的变化趋势，存在 一个最小值。与实验结果的对比表明，本文的模型能够准确模拟 EMP 作用下