半导体纳米zno的制备、掺杂及光学性质-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

湘潭大学硕士毕业论文 湘潭大学硕士毕业论文 I I 摘 要 ZnO是新一代宽禁带、直接带隙的多功能II-VI族半导体材料。Zn0纳米材料在光电 器件、表面声波和压电材料、场发射器件、传感器、紫外激光器、太阳电池等方面均具 有广泛的应用前景。 本文系统地研究了 Zn0 晶须的控制合成、生长机理及性能，采用简单的气相反应方 法，实现了 Zn0 晶须形态和尺度的控制生长，制备出形态规则、结构均匀的各种 Zn0 晶 须：一维 Zn0 纳米线、梳妆、花瓣状以及刺猬状 Zn0 纳米结构。利用扫描电子显微镜（SEM， JEOL-6360LV）和透射电镜（TEM）对实验中制备出的样品的形貌、尺寸和微观结构进行 表征，用 X 射线衍射仪（XRD，MAC science M18X）对其结构和成分进行了分析. Zn0 晶须生长的关键是控制成核和生长过程，而反应体系的工艺参数决定着成核和 生长过程，最终影响 Zn0 晶须的形貌。刺猬状 Zn0 纳米结构经过两个步骤，先成核，然 后生长纳米线，并发现在通入氧气之前形成的 Zn 液滴对辐射球状结构的形成起关键的 作用；梳状纳米结构的形成先通过 VS 机制形成微米带，一侧的纳米线阵列通过自催化 生长平行于（0001）极性面形成。对样品的光致荧光(PL)谱测量发现了位于 390nm 和 495nm 处的室温光致发光峰，分别对应紫外和绿光发射峰。 对掺杂后的ZnO晶体结构、微观形貌、光学特性进行了表征和研究。采用场发射扫 描电子显微镜(FSEM)对所得掺杂ZnO纳米材料进行微观形貌表征，结果表明一定量Mg的 加入影响晶须的生长形貌。 论文中选用氙灯激发，在不同激发波长作用下，观察到了室温下 MgxZn1-x0 纳米材 料的光致发光((PL)谱在紫外、蓝光及绿光范围内的发光情况。其中，每个 PL 峰对应于 一个特定的激发波长。蓝色发光峰的强度较强，紫外发光峰的强度较弱。同时，在同波 长的激发光的作用下，随着 Mg 含量的增大，Zn0 纳米材料的紫外发射峰上出现了微弱 的蓝移现象(即向高能位置移动)。我们分析认为，实验中所观察到的 Zn0 和 MgxZn1-x0 纳米结构的 UV 发光峰则是由自由激子辐射复合引起的。另外，样品的蓝、绿色发光峰 与纳米材料制备中产生的缺陷有关。 关键词：ZnO， MgxZn1-x0，结构及表面形貌，生长机理，光致发光 II II ABSTRACT ZnO is a new generationalm ultifunctional II-VI compound semiconductor with a wide and direct band gap. ZnO nanostructures show great promising applications in opto-electric devices surface acoustic wave devices, piezoelectricity materials, field emiters, sensors, ultraviolet Lasers, solar cells and so on. ZnO materials exhibit a wide range of electrical and optical properties that depend sensitively on both shape and size, and are of both fundamental and technological interest. We have demonstrated a simple vapor-phase approach to control growth of ZnO whiskers. Some types of ZnO whiskers with various shape and size, including ZnO nanowires、flower-like、 urchin-like and comb-like nanostructures, have been obtained by controlled growth process in our laboratory. The micro morphology ，the phase composition and crystal structure of as prepared samples were analyzed by means of scanning electron microscope (SEM), transmission electron microscopy (TEM)，X-ray d