半导体纳米zno制备、掺杂及光学性质-凝聚态物理专业论文.docxVIP

湘潭大学 学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的 研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均 已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。 作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保 留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借 阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 涉密论文按学校规定处理。 作者签名： 日期： 年 月 日 导师签名： 日期： 年 月 日 湘潭大学硕士毕业论文 湘潭大学硕士毕业论文 湘潭大学硕士毕业论文 湘潭大学硕士毕业论文 PAGE PAGE 13 PAGE PAGE 10 第一章 绪论 1. 1 概述 随着信息技术的飞速发展，以微电子和光电子为基础的通信和网络技术已成为高新 技术的核心，信息技术的发展将从电子时代迈向光子时代。半导体激光器、激光二极管 (LED)和光电探测器等光电器件在军事和民用力一面都显示出了巨大的应用价值和强健 的市场需求。半导体激光器作为信息技术的关键部件使得光纤通信得以普及，使得以光 盘为主的信息存储技术和复印技术不断更新换代。对于光盘存储技术，光盘的信息存储 密度反比于其核心部件一激光器激光束的聚焦直径，而在聚焦能力相同的情况下该直径 又正比于激光器的波长。因此，为提高信息的存储密度，应尽可能使用短波长的激光器。 最近几年来，短波长的激光二极管、激光器及其相关器件由于具有更高的存储密度和更 快的读写速度，已成为信息领域中半导体激光类器件研究的一个热点。从理论上说，利 用量子线/点制备的发光及激光二极管能够显著改善其光学性能，例如出现较低的阀值电 流，对温度较小的依赖性等;当颗粒尺度小于其激子玻尔半径时，就会出现量子限域效应， 并进而导致新的发光带和发光性能。因此，近年来，基于低维半导体结构材料的量子力 学效应(如:量子尺寸效应、量子隧穿、量子相干、库仑阻塞和非线性光学效应等)的纳米 线、纳米点等材料和器件受到了广泛的重视，制备出了材料的各种纳米形貌，并基于这 些材料进行了器件化的初步研究。 纳米材料是近年来受到广泛关注的一个新的研究领域，研究内容涉及凝聚态物理、 胶体化学、配位化学、化学反应动力学、表面、界面等学科，是现代功能材料的重要组 成部分。纳米ZnO与普通ZnO相比，其独特的颜色效应、光催化作用及散射和吸收紫外线 的能力，使其一经面世即倍受青睐，在汽车工业、防晒化妆品、废水处理、杀菌、环保、 精细陶瓷、生物工程、图象记录材料等方面有着十分广泛的应用前景，被誉为面向21世 纪的现代功能材料。纳米ZnO有很强的自组织生长能力，在稳定的制备条件下，其分子 间相互作用相当明显，分子能严格按晶格排列外延生长，形成配比完整、成分单一的结 构。人们对纳米ZnO的研究自零维量子点材料的研究开始逐渐向一维，二维及多维形态 系统发展。近来随着材料制备技术的日趋完善，已有特殊形态ZnO(纳米带，纳米棒，类 四角锥等)的研究报道。随着这些单晶Zn0纳米结构的成功制备，为蓝光、紫外发光器件 及高温高功率晶体管提供了可能。作为发光器件Zn0有它的优势:60 meV的激子束缚能， 发展完备的体材料及外延膜的制备工艺;作为电子器件，它有着高的雪崩强度和高的饱 和速率。室温及低温紫外发光己经实现，但是电致激光还有待于P型Zn0材料的进一步发 展[1-4]。 1. 2 Zn0的结构和基本性质 1. 2. 1 Zn0的基本参数 室温下 密度: 5. 642 g/c 熔点: 2250 K 比热 : 0.125 cal/gm 热导率: 0.006 cal/cm/K 介电常数: ε (0) ⊥ c 7.8 ε (0) // c 8.75 ε (∞) ⊥ c 3.7 ε (∞) // c 3.75 禁带宽度: Eg=3.37 eV 载流子有效质量(以单电子静止质量 m0 为单位) 电子: me*// 0.28 me * ⊥ 0. 24 空穴：mn*// 0.59 mh * ⊥ 0.59 1. 2. 2 Zn0的基本性质 自从扫描隧道显微镜发现以后，世界上便诞生