传感器原理5.pptxVIP

3.1 电阻应变计将应变转换为电阻变化。金属应变片半导体应变片应变片3.1.1 金属应变计 一、金属应变片的基本原理:应变效应：受外力F拉伸时，l增加，s减小。 3.1 电阻应变计二、金属应变片的结构和分类 组成四部分：1、金属电阻丝；2、基底;3、覆盖层； 4、引出线；5、粘结剂；3.1 电阻应变计 回线式应变片 丝式应变片短接式应变片分类箔式应变片：很薄的金属片(康铜)薄膜应变片：薄膜被直接沉积在弹性基底箔 bó： 金属制成的薄片。如：金箔、银箔、铜箔、锡箔。 铂(Pt) bó： 一种银白色的贵金属元素，用于耐腐蚀的化学仪器等。通称“白金”，铂和铱的合金是制造自来水笔笔尖的材料。 3.1 电阻应变计三、金属应变片的参数 1.电阻值(R0)； 2.灵敏系数(K0)； 3.机械滞后；4.蠕变(Δεt)； 5.零漂； 6.绝缘电阻； 四、温度和蠕变补偿应变计 1. 温度自补偿应变计 使电阻的线膨胀系数与弹性体材料的线膨胀系数相匹配。2. 蠕变自补偿应变计 使弹性材料(正蠕变)与应变计－胶粘剂系统(负蠕变)相匹配。 3.1 电阻应变计3.1.2 半导体应变片 一、压阻效应 固体都有压阻效应，其中以半导体材料最为显著。 半导体材料受到应力作用时，晶格间距发生变化，使其电阻率发生变化。rrdRdd==pe=e=p=EKTEπεrRr式中π为材料的压阻系数； T为应力； E为弹性模量； 为应变； K为应变计因子或材料灵敏系数。 3.1 电阻应变计 半导体的压阻系数π很大，K一般在50～100，比金属的灵敏度高很多。二、压阻系数 单晶材料的晶体结构各向异性，在不同晶面上的压阻系数不同。 六种外力：沿x、y、z的轴向应力T1、T2、T3绕x、y、z轴转动的剪切力T4、T5 、T6；立方体各面的应力示意图 3.1 电阻应变计电阻率的相对变化与应力间的关系为： 3.1 电阻应变计πii(i为1、2、3)为纵向压阻系数： 沿着晶轴方向的应力对此方向电阻率的影响，立方晶系的x、y、z方向的纵向压阻系数相等。πij (i≠j；i,j为1、2 、3)为横向压阻系数： 沿某晶轴方向的应力对沿与其垂直的另一晶轴方向电阻率的影响，立方晶系的横向压阻系数都相同。πkk （k为4、5 、6）为剪切压阻系数： 剪切应力对其相应剪切面的电阻率分量的影响，立方晶系的三个剪切压阻系数相等。3.1 电阻应变计晶向和晶面　晶面的法线方向即晶向。　法线在Ｘ，Ｙ，Ｚ轴的截距分别为r，s，t。 r,s,t的倒数为h，k，l。晶向＜hkl＞　晶面（ hkl ）3.1 电阻应变计二、半导体应变片 体型半导体应变计扩散型半导体应变计SOI外延扩散型半导体应变计 1、体型半导体应变计 v 结构组成： 硅条、内引线（金丝）、基底（绝缘胶膜）、电极（连接点、康铜箔）、外引线（镀银铜线）。3.1 电阻应变计 工艺流程： P-Si的（111）轴向压阻系数最大，选此方向为压阻纵向。 单晶(a)→ 切片(b)→ 研磨(c)→ 切条(d)→ 焊引线(e)→ 粘衬底(f) 3.1 电阻应变计2、扩散型半导体应变计 在硅衬底上扩散相应杂质构成应变敏感栅电阻。v 特点： 灵敏系数高； 可构成半桥或全桥结构，使温度特性及稳定性都较好； 易实现微型化、集成化、智能化。 扩散型半导体应变计的结构 直线式瘦型www折线式胖型3.1 电阻应变计v 分类胖型瘦型直线式折线式3.1 电阻应变计电阻的设计：直线扩散型电阻的阻值式中 L 为扩散电阻的长度； W 为扩散电阻的宽度; R口 为扩散层的方块电阻，也称为薄层电阻，与杂质浓度分布、杂质扩散深度有关。扩散型半导体应变计的温度局限性 敏感栅与衬底间由PN结隔离，在150℃以上隔离效果恶化,使两者之间电流泄漏。3.1 电阻应变计3、SOI外延扩散型半导体应变计 SOI工艺，即外延生长半导体Si薄膜、扩散掺杂。 适用于150～200℃左右高温环境。 SOI应变计3.1 电阻应变计3.1.3 应变计的测量原理和测量线路 一、直流电压源单臂电桥 ---R1、R3和R4固定,R2随应变变化。1.平衡条件 在不考虑温度下，单臂桥的输出电压： 选R2的零应变电阻值使电桥达到平衡，即输出电压为零。 平衡条件为R1R4 =R2R3 3.1 电阻应变计2. 有应变时 应变片电阻的变化为ΔR2，则电桥输出电压U0为： 设n=R1/R2，ΔR2R2，分母ΔR2/R2可忽略， 上式化简为： 3.1 电阻应变计二、半桥差动电路 若一个应变片受拉力，一个受压力，受应变的符号相反，接入电桥的相邻臂上，该电桥的输出电压U0为： 若⊿R1=⊿R2，R1=R2，R3=R4，则简化为： 比单臂应变片电压灵敏度提高了一倍。 3.1 电阻应变计三、全桥差动电路 1、不考虑温度对