利用N型半导体纳米材料抑制单量子点荧光闪烁特性.PDFVIP

利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的荧光闪烁特性 王早 张国峰 李斌 陈瑞云 秦成兵 肖连团 贾锁堂 SuppressionoftheblinkingofsingleQDsbyusinganN-type semiconductornanomaterial WangZao ZhangGuo-Feng LiBin ChenRui-Yun QinCheng-Bing XiaoLian-Tuan JiaSuo-Tang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,247803(2015) DOI: 10.7498/aps.64.247803 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.247803 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I24 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin Rashba 自旋-轨道相互作用影响下量子盘中强耦合磁极化子性质的研究 Studyofthepropertiesofstrong-couplingmagnetopolaroninquantumdisksinducedbytheRashbaspin- orbitinteraction 物理学报.2014,63(17): 177803 /10.7498/aps.63.177803 等离子体增强InAs单量子点荧光辐射的研究 Photoluminescencefromplasmon-enhancedsingleInAs quantumdots 物理学报.2014,63(2): 027801 /10.7498/aps.63.027801 计及激子-双激子相干下半导体单量子点中的空间光孤子秪 Spatialopticalsolitonpairsinaquantumdotwithexciton-biexciton coherence 物理学报.2013,62(14): 147801 /10.7498/aps.62.147801 电场调谐InAs量子点荷电激子光学跃迁 OpticaltransitionofthechargedexcitonsinInAssinglequantum dots 物理学报.2013,62(4): 047801 /10.7498/aps.62.047801 CdTe/CdS核壳结构量子点超快载流子动力学 UltrafastcarrierdynamicsinCdTe/CdSCore/Shellquantumdots 物理学报.2012,61(19): 197801 /10.7498/aps.61.197801 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 24 (2015) 247803 利用N型半导体纳米材料抑制单量子点的 荧光闪烁特性 王早 张国峰 李斌 陈瑞云 秦成兵 肖连团 贾锁堂 (山西大学激光光谱研究所, 量子光学与光量子器件国家重点实验室, 太原 030006) ( 2015 年7 月25 日收到; 2015 年9 月8 日收到修改稿) 利用N 型半导体纳米材料氧化铟锡(ITO) 作为单CdSe/ZnS 量子点的基质来抑制单量子点的荧光闪烁 特性. 实验采用激光扫描共聚焦显微成像系统测量了单量子点荧光的亮、暗态持续时间的概率密度分布的指 数截止的幂律特性, 并与直接吸附在SiO 玻片上的单CdSe/ZnS 量子点的荧光特性进行比较. 研究发现处于 ITO 中的单量子点比SiO 玻片上的单量子点荧光亮态持续时间提高两个数量级, 掺杂于ITO 中的单量子点 的荧光寿命约减小为SiO 玻片上的单量子点的荧光寿命的41%, 并且寿命分布宽度变小50%. 关键词: 单量子点, 半导体纳米材料, 荧光闪烁, 荧光寿命 PACS: 78.67.Hc, 73.40.–c, 78.56.Cd DOI: 10.7498/aps.64.247803 漂白等光学特性1112 ; 将量子点吸