传感器与检测技术09章磁敏课件.pptVIP

（4）霍尔式位移传感器 霍尔式位移传感器原理示意图 （5）霍尔式压力传感器 霍尔式压力传感器结钩原理图及磁钢外形 9.1.4霍尔集成传感器 HST霍尔传感器工作原理图 HST霍尔传感器 HST霍尔传感器常见应用接口电路 HK-1型霍尔接近开关组成的计数器电路 HK-1型霍尔接近开关 霍尔传感器DN833驱动三极管、可控硅、继电器、CMOS电路和TTL电路 霍尔传感器DN833 霍尔效应测量磁场 9.2 磁敏电阻 1.磁阻效应：当一载流导体置于磁场中时，电阻值会随磁场而变化的现象。 (包括物理磁阻效应与几何磁阻效应。) 2.磁阻效应的表达式 在磁场中，电流的流动路径会因磁场的作用而加长，使得材料的电阻率增加。若某种金属或半导体材料的两种载流子 (电子和空穴 )的迁移率十分悬殊，主要由迁移率较大的一种载流子引起电阻率变化 ,它可表示为： Ｂ——为磁感应强度； ρ——材料在磁感应强度为Ｂ时的电阻率； ρ0 ——材料在磁感应强度为0时的电阻率； μ——载流子的迁移率。 当材料中仅存在一种载流子时磁阻效应几乎可以忽略，此时霍耳效应更为强烈。若在电子和空穴都存在的材料（如InSb）中，则磁阻效应很强。 长方形磁阻器件只有在L(长度)W（宽度）的条件下，才表现出较高的灵敏度。 磁阻效应包括物理磁阻效应与几何磁阻效应。 物理磁阻效应： 长方形半导体晶片受到与电流方向垂直的磁场作用时，不但产生霍尔效应，还会出现电流密度下降、电阻率增大的现象，这种现象称为物理磁阻效应。 （一是材料的电阻率随磁场的增加而增加，称为磁阻率效应。） 几何磁阻效应： 在物理磁阻效应发生时，如果所选择的长方形半导体晶片的几何尺寸不同，电阻值增大也不同，则称为几何磁阻效应。 （二是在磁场的作用下，通过磁敏电阻电流的路径变长，因而电极间电阻值增加，称为几何磁阻效应。） 把LW的扁平器件串联起来，就会制成磁场电阻值较大、灵敏度较高的磁阻器件。 磁阻效应与霍尔效应的区别为：霍尔电势是指垂直于电流方向的横向电压，而磁阻效应则是沿电流方向的电阻变化。 磁阻效应与材料性质及几何形状有关，一般迁移率大的材料，磁阻效应愈显著；元件的长、宽比愈小，磁阻效应愈大。 霍尔效应于磁阻效应是并存的。 在制造霍尔器件时应努力减少磁阻效应的影响， 而制造磁阻器件时努力避免霍尔效应（在计算公式中，互为非线性项）。 在磁阻器件应用中，温度漂移的控制也是主要矛盾，在器件制备方面，磁阻器件由于与霍尔不同。 据报导磁阻器件的响应速度同霍尔1uS量级。 磁阻传感器由于工作机理不同于霍尔，因而供电也不同，而是采用恒压源（但也需要一定的电流）供电。当后续电路不同对供电电源的稳定性及内部噪声要求高低有所不同。 第9章 磁敏式传感器 9.1 霍尔传感器 9.2 磁敏电阻 9.3 磁敏二级管和磁敏三极管 9.1 霍尔传感器 1.磁敏传感器，顾名思义就是感知磁性物体的存在或者磁性强度(在有效范围内)。 这些磁性材料除永磁体外，还包括顺磁材料(铁、钴、 镍及其它们的合金)当然也可包括感知通电(直、交)线包或导线周围的磁场。 2.目前半导体磁电传感器，主要有霍尔效应传感器（Halleffect sensor）、磁敏电阻器（Semiconductive magnetoresistor）、磁敏二极管（Magnetodiode）、磁敏三极管。 主要材料有锑化铟、砷化铟、锗和硅等。 3.霍尔效应 在半导体霍耳片的长度方向通入控制电流I，在平面法线方向外加磁场B，于是电子在磁场中受洛伦兹力，而向宽度方向偏移，因此在霍耳片两侧分别积累正负电荷并沿宽度方向产生霍耳电场。 这一电场对电子产生的力阻止电子偏移。当电场力E与洛伦兹力L相平衡时，霍耳输出端电荷积累达到平衡,这就是霍耳效应。 （美国物理学家霍尔于1879年发现的） 霍尔电极 控制电极 d 4.霍尔元件材料 （1）锗(Ge)，N型及P型均可。 （2）硅(Si)．N型及P型均可。 （3）砷化铟(InAs)和锑化铟(InSb)，这两种材料的特性很相似。 6.霍尔元件的主要技术指标 额定激励电流IH 使霍尔元件温升10℃所施加的控制电流值称为额定激励电流。通常用IH表示。 输入电阻Ri 它是指控制电流极间的电阻值。它规定要在室温(20±5℃)的环境温度中测取。 输出电阻Rs 它是指霍尔电极间的电阻值。规定中要求在(20±5℃)的条件下测取。 不等位电势及零位电阻r0 当霍尔元件通以控制电流IH而不加外磁场时，它的霍尔输出端之间仍有空载电势存在，该电势就称为不等位电势(或零位电势)。 寄生直流