苏大考研数电7课件.ppt

第七章 半导体存储器 7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 §7-1 概述 随机存储器（Random Access Memory RAM） 半导体存储器能存储大量二值信息，是数字系统不可缺少的部分 1、衡量指标 存储速度 只读存储器（Read-Only Memory ROM） 存储量 2、种类 ROM 掩模ROM 可编程ROM：PROM 可擦除可编程ROM：EPROM RAM 静态RAM：SRAM 动态RAM：DRAM 由制造工艺分： 双极型 MOS型 §7-2 只读存储器ROM §7-2-1 掩模只读存储器ROM 根据用户要求专门设计的掩模板把数据：“固化”在ROM中 电路结构 地址输入 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 数据输出 地址译码器：将输出的地址代码翻译成相应的控制信号，把指定单元选 出，其数据送输出缓冲器 输出缓冲器 提高存储器带负载的能力 实现输出状态三态控制，与系统总线连接 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 存储矩阵：二极管编码器 W0=1 EN=0 W1=1 EN=0 W2=1 EN=0 W3=1 EN=0 输出缓冲器：提高带负载能力 数据表为： D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 位线 地址线 字线 例2 MOS管ROM 数据表为： D3 D2 D1D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 D3’D2’ D1’D0’ 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 §7-2-2 PROM 没使用前，全部数据为1 要存入0： 找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平 在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断 肖特基势垒稳压二极管 快速熔断丝 §7-2-3 EPROM 一、雪崩注入MOS管（FAMOS）构成的EFROM FAMOS结构图 注入： 在漏极和源极间加高反压，漏极与衬底间的PN结击穿，其耗尽层的电子在强磁场中高速射出，一部分被浮置栅浮获，此部分负电荷在DS间负电压去除后无放电回路，得以保存。 擦除： 用紫外线或X射线照射FAMOS管，使SiO2层中产生电子空穴对，为浮置栅的负电荷提供放电通道。 FAMOS构成的存储单元 二、叠栅MOS管（SIMOS）构成的EPROM SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 在控制栅Ge上加正常高电平时，能在漏-源间构成导电通道，使SIMOS导通 电荷注入后，需要在Ge上加更高压才能形成导电沟道——VTH提高 在漏-源间加高电压，使雪崩击穿，同时在Ge上加高压正脉冲，则在栅极电场作用下，一部分穿过SiO2到达浮置栅，形成注入电荷。 VGS iD VTH 注入电荷前 注入电荷后 用SIMOS构成的EPROM 256×1位的EPROM，排成16×16的矩阵 读出时： 将地址低四位加到列地址译码器上，Bi=1，选中一列。 将地址高四位加到行地址译码器上，Wi=1，选中一行； EN＝0时，此位数据传到D（已注入电荷的SIMOS不通，为1；未注入电荷的SIMOS通，为0。 其它PROM E2PROM 快闪存储器 §7-3 随机存储器RAM §7-3-1 静态随机存储器RAM 电路结构 地址输入 存储矩阵 行地址译码 读 写 控 制 I/O 地址译码器：行地址译码选出一行，列地址译码选出一列（或几列） 列地址译码 地址输入 CS R/W CS＝0 片选有效，可进行读写 R/w＝1 执行读操作 R/w＝0 执行写操作