单晶硅少子寿命测试影响因素的研究幻灯片.pptVIP

单晶硅少子寿命测试影响因素的研究 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司，江西 九江 胡江峰 杨超 牛冬梅 胡荣星 曾世铭 关键词：单晶硅；少子寿命；钝化 摘要：使用HF与HNO3按一定比例混合对单晶硅片表面腐蚀，研究腐蚀不同时间及不同浓度的碘酒钝化硅片表面对少子寿命测试的影响，确定HF与HNO3的体积比为1：6时，腐蚀5~7分钟，碘酒浓度为0.08mol/L时，表面钝化效果最佳。选取不同少子寿命的单晶片进行钝化，使用WT-1000B和WT-2000PV型少子寿命测试仪进行对比，研究了硅片少子寿命裸测值与钝化值间的关系，并对比了两种不同仪器测试结果的差异。 1 引 言 少子寿命是半导体晶体硅材料的一项关键性物理参数，它对硅太阳能电池的性能有重要的影响，硅片的少子寿命值越高越好。少子寿命低，将会严重降低电池的光电转换效率。使用微波光导衰退法(μ-PCD)测试得到的少子寿命，受到两个因素影响：体寿命和表面寿命[1] 。在一定的样品厚度情况下，如果硅晶体的表面损伤严重甚至出现微裂纹以及受到沾污时，则少子的表面复合速率很大，这时单晶裸测的寿命值就不是硅晶体的真实体寿命值。目前电池片厂要求单晶硅片的少子寿命的体寿命值必须大于10μs乃至15μs，因此必须对硅样品表面进行钝化，以降低样品的表面复合速率，才能获得硅单晶的体寿命值。目前大多数光伏企业使用WT-1000B型少子寿命测试仪裸测单晶硅