第七章梁.pptxVIP

7.1 光电效应及光电器件 7.1.1 光电效应 一、外光电效应 光子能量： E=h? h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s) ? —光的频率（s-1） 光的波长越短，即频率越高，其光子的能量也越大； 反之，光的波长越长，其光子的能量也就越小。 光照射在某些物体上，使电子从这些物体表面逸出的现象称为外光电效应。光电管是基于该效应的器件。逸出的电子称为光电子。 爱因斯坦假设：一个光子的能量全部只给一个电子。 爱因斯坦光电方程： m——电子质量；v0——电子逸出初速度；A------某物体的逸出功。 1、光子能量大于逸出功A时，才能产生光电子，有外光电效应；当光子能量等于逸出功时，光子初速度为零，此时相应的单色光频率为?0，为物体产生外光电效应的最低频率，称为红限频率。2、如果入射光的频率低于红限频率，不论光强多大，也不会产生外光电效应。入射光的频率大于红限频率，光强增加使光电子的数目增加，光电流增大。3、电子吸收光子能量不需积累时间，光照射物体后立刻有光电子发射。二、内光电效应 物体受光照射后，其内部的原子释放电子，这些电子不逸出表面，使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效应。阳极 光阴极1、光电导效应： 在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量，载流子浓度增加，半导体的导电性增加。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。 2、光生伏特效应： 在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池。 7.1.2 光电器件 一、 光电管（外光电效应） 光电管有真空光电管和充气光电管。真空光电管由一个阴极和一个阳极构成，并且密封在一只真空玻璃管内。阴极装在玻璃管内壁上，其上涂有光电发射材料。阳极通常用金属丝弯曲成矩形或圆形，置于玻璃管的中央。 当光照射阴极时，电子从阴极逸出，在电场作用下被阳极收集，形成电流，在负载上的电压随光强弱而变化。IA/ μA120μlm12100μlm10IA/ μA80μlm860μlm610040μlm47520μlm250500100150200250.51.01.52.02.50Φ/1m光电管的伏安特性：饱和区 在光通量及光谱一定的情况下，光电器件的阴极和阳极间所加电压与所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。它是应用光电传感器参数的主要依据。 两端电压较低时，阴极电子部分到达阳极，电流随极间电压增加而增加； 两端电压较高时，阴极电子全部到达阳极，电流稳定---饱和区。光电管的光电特性： 当光电管的阳极和阴极之间所加电压一定时，光通量与光电流之间的关系为光电管的光电特性。 二、 光敏电阻（内光电效应） 光敏电阻又称光导管，为纯电阻元件，其工作原理是基于光电导效应，其阻值随光照增强而减小。无光照时，电阻值很大，电路中电流很小。当受到一定波长范围的光照时，它的阻值急剧减小，电路中电流迅速增大。 1. 光敏电阻的工作原理 当光照射到光电导体上时，若光电导体为本征半导体材料，而且光辐射能量又足够强，光导材料价带上的电子将激发到导带上去，从而使导带的电子和价带的空穴增加，致使光导体的电导率变大。为实现能级的跃迁，入射光的能量必须大于光导体材料的禁带宽度Eg。 只有波长小于λ0（最高频率）的光照射在光电导体上，才能产生电子在能级间的跃迁，从而使光电导体电导率增加。 2. 光敏电阻的主要参数和基本特性（1）暗电阻、亮电阻、光电流暗电阻：光敏电阻在室温、全暗（无光照射）下经过一定稳定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时在给定电压下流过的电流称为暗电流。亮电阻：光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻。此时流过的电流，称为亮电流。光电流：亮电流与暗电流之差。 光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小则性能越好。暗电流越小，光电流越大，光敏电阻的灵敏度越高。 实用的光敏电阻的暗电阻往往超过1MΩ,甚至高达100MΩ，而亮电阻则在几kΩ以下，暗电阻与亮电阻之比在102～106之间。 I/mA543210 L/l2）光照特性照度:（勒克司lx）：光照度是对被照地点而言的，但又与被照射物体无关。一个流明的光，均匀射到1m2的物体上，照度就是1 lx 。 阴天室外，1000 商场内，500 阴天有窗室内，100 普通房间灯光下，100 在一定外加电压下，光敏电阻的光电流和光照度之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同，但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件，这是光敏电阻的不足之处。一般在自动控制系统中用作光电开关。1001——硫化镉2——硒化镉3——硫化铅123相对灵敏度806040204080120160200240λ/μm（3）光谱特性 光谱特性与光敏电阻的材料有关。从图中可知，硫化铅光敏电阻在