外延单晶硅膜0005mm.PPT

3.6 热流式传感器 3.6.1 工作原理 在密闭的腔体内利用热电阻加热空气，形成稳定的对流，当器件倾斜或存在加速度时，对流方向发生改变，使测试电阻处的气流速度不同，引起对流散热速率变化，从而使得测试电阻的阻值改变。 3.6.2 MEMS热流式传感器 美国George Washington大学 腔体的尺寸500?m 一维热电偶式结构，加热功率在40mW到90mW时，灵敏度可达到40?V/g到115?V/g ，频率响应 100Hz 一维热电阻式，加热功率在120mW和430mW的时候，灵敏度分别为25 V/g和185 V/g ,频率响应600Hz 二维结构灵敏度略低 德国S.Billat利用SOI技术 性能： 空气，响应时间300ms; SF6，响应时间600ms 灵敏度:1.6mV/ ?(45mW、SF6气体) 量程：360 ? 分辨率：0.007 ? 功耗：5mW-50mW 信息产业部十三所 功率为200mW时灵敏度为0.35V/g，量程为75g，抗冲击大于100g。这个传感器中，腐蚀槽的深度为150?m，多晶硅加热电阻长1000?m，宽80?m，厚度2?m，测温电阻长1000?m，宽40?m，厚度2?m 3.6.3 传感器设计 传热学基础 传热基本方式：传导、对流、辐射 传导——傅里叶导热定律 一维热传导方程 对流 影响对流的因素 流体流动的起因：比如强迫对流和自然对流 流体有无相变 流体的流动状态 ：层流和湍流 换热表面的几何因素 流体的物理性质 （密度?、动力粘度?、导热系数? ） 牛顿散热定律——表面积为S的热体，在单位时间内，由于对流而散失的热量： 其中?是热体温度，?0是周围流体温度，h是表面传热系数，研究对流换热的任务就是确定计算表面系数h的具体表达式。 传感器结构 传热分析 热量主要通过传导的方式散发出去。考虑到支撑梁硅结构对传热的影响，实际加热的功率会比这个计算结果要大，因此设定的额定加热功率是100mW。 气体对流场分析 敏感电路 掺杂到一定浓度多晶硅电阻 传感器结构抗冲击性能分析 支撑梁两端弯矩 达到应力极限时 硅的承载极限为7?109Pa，结构的厚度为20?m，长度为2mm，则有 测温电阻结构的边长为730?m，比支撑梁的长度2mm小，冲击承载能力要强于支撑梁 气体对流尺度效应 物理上，格拉晓夫数 Gr是浮升力/粘滞力比值的度量。Gr数的增大表明浮升力作用的相对增大。Gr与加热器的特征尺度的三次方成正比，尺度变化10倍，则Gr数变化1000倍 取g=9.8m/s2，?=1/650，?t=700，?=59.3?10-6 m2/s 气体对流尺度效应（2cm） 气体对流尺度效应（1cm） 气体对流尺度效应（5mm） 气体对流尺度效应（2mm） 传感器简化模型分析 传感器实际近似模型 传感器结构尺寸 腔体边长尺寸：2mm 结构层厚度：20?m 加热平台尺寸：200 ?m?200 ?m 支撑梁尺寸：900 ?m ? 100 ?m 测温电阻边长：250 ?m 测温电阻宽度：10 ?m 测温电阻顶点距离加热平台距离：400 ?m 参考电阻宽度：10 ?m 参考电阻外边长：300 ?m 加热电阻设计 电阻设计经验公式 K1——电阻端头修正因子； K2——电阻弯头修正因子，实验确认为0.5； n ——弯头数目。 加热器上电阻的分压达到外加电压的90% 支撑梁电阻18个方块，则加热器为162个方块 电阻条长度1720?m，宽度是10?m，间距10?m Rheater=16?9+8+8?2?0.5+2?2=164 R?=16.4kΩ 3.6.4 工艺方案 清洗硅片 双面氧化二氧化硅2000? （干氧氧化） 双面淀积氮化硅2000? LPCVD:700?C到800?C PECVD:450?C 正面淀积多晶硅层 多晶硅薄膜性质 能承受高温处理 可以进行N型或P型（重）掺杂 多晶硅制备 LPCVD, 625 ?C 在氮化硅衬底上，择优取向是〈110〉，平均晶粒约为0.03?m的细晶粒镜面光滑的的多晶硅薄膜 薄膜厚度：1 ?m 掺杂多晶硅 多晶硅电学性能 掺杂浓度为2?1019/cm2，电阻率为0.01??cm 多晶硅薄膜的厚度为1?m 刻蚀多晶硅薄膜，制作加热电阻、测温电阻和参考电阻 双面各向异性对穿腐蚀，正面V型槽 腐蚀穿通，分离出悬空的结构 3.7 谐振式传感器 3.7.3 MEMS谐振式传感器结构设计 3.7.4 MEMS谐振式传感器有限元分析 3.7.5 MEMS谐振式传感器工艺 温度对多晶硅淀积速率的影响 掺杂种类和浓度对多晶硅生长速率的影响 多晶硅薄膜的室温电阻率（a）、平均载