-精选版微电子技术应用基础 第二章 集成电路的制造工艺.pptVIP

返回 * 返回 * 返回 * 返回 * 返回 * 返回 * 返回 * 第二节 MOS集成电路的工艺流程 N沟道铝栅NMOS晶体管的制造工艺流程 图1 CMOS集成电路工艺流程 CMOS反相器 图2 CMOS主要工艺流程图 图3 * 第三节 外延工艺 外延技术的采用主要有以下优点： ① 利用外延技术可以提高高频大功率晶体管的频率和功率特性。 ② 在双极型集成电路的制造工艺中，采用外延技术容易实现隔离 。 ③ 利用外延技术可以根据需要方便地控制薄层单晶的电阻率、电导类型、厚度及杂质分布等参数。增大了工艺设计和器件制造的灵活性。 * 外延生长的方法和原理 汽相外延生长的设备 图 汽相外延生长的方法 汽相外延生长原理 其他外延技术 液相外延：液相外延是一种在溶液中生长晶体的方法。液相外延的优点是可以得到高纯度的外延层。 分子束外延：分子束外延实际上是一种直接淀积技术。分子束外延的优点是：能精确控制外延层的化学配比，杂质分布和外延层厚度。 * 第四节 氧化工艺 1 二氧化硅的性质及其作用 (1) 二氧化硅的性质 ① 二氧化硅是理想的电绝缘材料，实验表明，二氧化硅在室温附近相当宽的温度范围内性能稳定，电阻率很高。 ② 二氧化硅的化学特性非常稳定， ③ 实验证明某些杂质在二氧化硅中的扩散系数比在Si中的要小，因而可以用二氧化硅膜作扩