现代物理实验之BS.ppt

2、质子弹性散射分析（PESA） ＰＥＳＡ ＰＮＢＳ 对于质子弹性散射,样品中不同质量Ｍ的原子散射出的质子能量Ｅ１，与入射质子能量Ｅ０的关系： PESA：2 ～3MeV质子轰击薄样品，通过在前角(通常30～60度)探测弹性散射质子能谱来测量样品中的氢及其同位素含量。 气溶胶样品PESA分析 C、N、O…. H 3、弹性反冲分析（ERD） 探测入射重离子与样品中轻元素原子核发生弹性碰撞时，前向反冲出来的轻元素杂质原子，可以确定轻元素的含量及深度分布。这种分析方法称为弹性反冲分析（Elastic Recoil ----ERD） 1) 弹性反冲运动学因子 反冲粒子能量 入射离子能量 弹性反冲运动学因子 入射离子质量 反冲粒子质量 反冲角 入射离子越重，Kr随M变化越快，质量分辨率越高。 θ越小质量分辨率越高 前角区即有反冲粒子又有散射离子，要探测轻的反冲粒子，必须在探测器前加吸收膜，将重离子吸收掉。 常用入射离子有4He，12C，16O，36Cl，79Br等。 分析的反冲原子为1H，2D，3T，4He等。 3、弹性反冲分析（ERD） 2) 弹性反冲截面 3) 深度分析 透射几何 散射几何 ERD深度分辨率 ERD spectrum from a thin, 200??, deuterated polystyrene film J. Russel, Mat. Sci. Eng. R 38 (2002) 107. * * * 2、杂质深度分布分析 离子注入样品退火前深度分布 杂质分布：注入离子的射程分布为高斯分布，射程歧离由注入杂质峰半高宽确定。 As峰半高宽 RBS探测系统能量分辨率 能量歧离 As分布引起的能散 FWHM为60KeV, ΔED由Si峰前沿得到，为22KeV;δs可由Bohr理论得到，为7.5KeV， ΔEδRp=55.3KeV 射程分布 半高宽: 射程分布标准偏差=δRp/2.355=50nm 2、杂质深度分布分析 离子注入样品退火后深度分布 通过将能量坐标换成深度坐标，产额换算成浓度可得到深度分布曲线。 四、RBS技术的应用 杂质总量分析 杂质的深度分布 化合物化学配比测定 表面层厚度的分析 应用于阻止本领和能量歧离的测量 3、化合物化学配比测定 1）前沿高度比较 用到m,n。可用迭代法求化学配比。三次迭代足够！ =1 阻止截面的计算中要 3、化合物化学配比测定 很少遇到上述的自支撑两元化合物薄膜。多数情况下是衬底材料上化合物薄膜的分析。 例如右图为Si衬底上氮化硅薄膜。 用迭代的高度比较法得到。硅和氮的化学配比为o.74。即Si3N4 H0，N H0，Si 例如：半导体材料SiGe合金的分析 Si SiO2 SiGe合金 Ge SiGe中Si SiO2中Si Si衬底 O 160度 Ge前沿高为：Si前沿高为： 迭代二次得到Si,Ge比为： 通过将能量坐标换成深度，产额比换算化学配比，可获得SiGe化学配比及其深度分布。 3.6MeV Li++束 2）多元素样品 右图为陶瓷玻璃（CG）RBS能谱。元素X和O的原子比为： 取： 可得各元素与氧元素原子比的一级近似。代入： 迭代 3）薄膜界面分析 Si Fe Ar, Xe and Au ions FexSiy Ion energy 100-700 keV Fluence 1x1015-2x1016 ions/cm2 Liquid nitrogen room temperature 离子束混合：用重离子轰击样品表面，可使薄膜与基体，或薄膜之间的界面上形成原子混合层。 离子束混合 Si Fe 四、RBS技术的应用 杂质总量分析 杂质的深度分布 化合物化学配比测定 薄膜厚度的分析 应用于阻止本领和能量歧离的测量（略） 4、薄膜厚度的分析 1）薄膜的厚度很薄（几百埃以内），可将薄膜作为衬底表面的污染用污染总量的分析方法来处理。 2）能谱宽度度法膜厚分析 对不同情况可采用前面介绍的近似方法来求阻止截面，并得到薄膜厚度。 单元素薄膜 薄膜很薄时，峰的宽度受系统能量分辨率和能量歧离影响较大，宜用能谱面积，薄膜厚时，散射截面随深度的变化不可忽略，宜用能谱宽度。 多元素和多层膜 表面能量近似下： 可根据谱形采用不同的近似方法计算阻止截面 右图是在硅衬底上热氧化生长的SiO2薄膜的RBS能谱。表面能量近似下用Si和O峰宽度得到SiO2的厚度分别为1.16和1.12 (1018分子/cm2) 前面介绍的能量损失比计算散射前能量E的方法以前常用于多层膜分析中，用来确定在不同界面处散射前的能量。但现在多用软件拟合直接得到各层膜厚。 Li束深度分辨率好 内容: 一、引言 二、RBS分析原理 三、RBS实验装