动态应力下超薄栅氧化层经时击穿可靠性评价！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ! + $##1 + ， ， ， :GH (! ,G (+ DIJ7H $##1 （ ） ###0’$%#C$##1C! #+ C$$+0# D-/D *E5F-D 5F,F-D $##1 -K78 ( KL? ( 5GM ( 动态应力下超薄栅氧化层经时 击穿的可靠性评价! 栾苏珍 刘红侠 贾仁需 （西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##! % $##! ’# 实验发现动态电压应力条件下，由于栅氧化层很薄，高电平应力时间内隧穿入氧化层的电子与陷落在氧化层 中的空穴复合产生中性电子陷阱，中性电子陷阱辅助电子隧穿( 由于每个周期的高电平时间较短（远远低于电荷的 复合时间），隧穿到氧化层的电子很少，同时低电平应力时间内一部分电荷退陷，形成的中性电子陷阱更少 随着应 ( 力时间的累积，中性电子陷阱达到某个临界值，栅氧化层突然击穿( 高电平时形成的陷阱较少和低电平时一部分电 荷退陷，使得器件的寿命提高( 关键词：超薄栅氧化层，斜坡电压，经时击穿 ： ， ， !## !!# !’)#* !’+# 被偏置在动态应力下 目前，对动态电压应力下超薄 ( 2 引 言 栅的击穿特性和器件性能的退化尚缺乏详细的 讨论( 自从金属 氧化物 半导体场效应 晶体管 本文研究了单极性动态电压应力下 型 0 0 8 （ ）发明至今， 作为性能良好的栅绝缘介 3456./ 574 （ ）超薄栅氧化层厚度 的击穿 $ 3456./ 83456./ 574 $ ［— ］ 质材料，一直得到广泛的使用和研究 ( 随着345 特性，包括斜坡电压应力下器件的栅电流变化和动 器件沟道长度的不断缩小，栅氧化层厚度也必须按 态电压应力下经时击穿特性，分析了动态电压应力 比例缩小(