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- 2018-10-16 发布于上海
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薄膜生长初期的分子动力学模拟研究-材料物理与化学专业论文
Dissertation Submitted in Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy in Science
Molecular Dynamics Simulation of Thin Film Growth in the Initial Stage
Ph. D. Candidate : Jing Xing-Bin
Major : Material Physics and Chemistry Supervisor : Prof. Liu Zu-Li
Huazhong University of Science and Technology Wuhan 430074, P. R. China
May, 2011
独创性声明
本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在 文中以明确方式标明。本人完全意识到,本声明的法律结果由本人承担。
学位论文作者签名: 日期: 年 月 日
学位论文版权使用授权书
本学位论文作者完全了解学校有关保留,使用学位论文的规定,即:学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索,可以采用影印,缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。
本论文属于 保 密□, 在 年解密后适用本授权书。 不保密□。
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学位论文作者签名: 指导教师签名:
日期: 年 月 日 日期: 年 月 日
华
华 中 科 技 大 学 博 士 学 位 论 文
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摘 要
近年来,随着观测技术水平的提高,对薄膜生长过程进行直接观察成为可能, 如借助 STM 和 AFM 等手段可观察到薄膜的岛状结构、表面重构和吸附原子扩散等 现象,甚至直接观察到单个 Ge 原子在 Si(100)表面的扩散过程。然而,对于在薄膜 生长初期中单粒子、团簇(包括二聚物、多聚物)、空位和台阶缺陷等在基体表面的 沉积、扩散与结合等过程,在实验观察和检测方面仍然受到一些条件的限制,而这 正是薄膜生长的关键所在。因此,研究沉积粒子与基体表面的相互作用,在原子尺 度上揭示薄膜生长初期发生的微观过程和结构演化,了解掌握这些微观结构(表面 形貌、显微结构、晶体学性能、组分含量及其分布等)的演变规律,进而改进工艺 流程和制备条件,节约薄膜制备的研发成本,这对提高薄膜的质量和推动相关产业 的发展有着重要的意义。
本文以 Cu/Cu(001)外延生长薄膜为研究对象,基于嵌入原子势函数并采用分子 动力学方法研究沉积原子扩散输运、亚单层膜的生长演化和退火处理对薄膜的形貌、 结构演变和应力变化的影响。
单原子沉积扩散研究的结果表明,沉积原子在基片表面的扩散输运行为与局域 碰撞位置和入射能密切相关。入射能为 1–30 eV 的沉积原子在基片表面的输运行为 有三种:直接吸附、短时渗透和渗透(或称植入)。短时渗透中,沉积原子先渗透到 间隙位置然后迅速迁移到表面上的稳定位置。当入射能高于渗透阈值时,某些能量 范围内出现对应的位置峰,即又发生了短时渗透。这种复杂的输运现象可能是由于 沉积原子和基片原子之间复杂的动力学竞争关系所引起的。
退火对亚单层薄膜影响的研究结果表明,在入射能为 1–5 eV 和基片温度为 300–500 K 时,亚单层薄膜在基片表面倾向于层状的二维生长。入射能增大或(和)基 片温度升高时,基片表面出现原子混合现象,但 600 K 的退火处理没有使吸附原子 渗透更深。未退火时,薄膜表面粗糙度随着入射能增加而降低,但在某些最佳温度 时达到最小。退火后,表面粗糙度明显降低。此外,退火处理能显著降低薄膜表层
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原子的最大法向应力。
多层膜的分子动力学研究中,薄膜生长条件和退火温度与亚单层膜的情况相同。 沉积生长过程中,多层膜倾向层岛状生长。退火前后薄膜的形貌和表面粗糙度变化 趋势与亚单层膜的情况类似,退火处理使薄膜表面更加光滑和有序。层覆盖率和径 向分布函数结果显示,入射能和基片温度对薄膜有一定的影响;而退火后,RDF 的 各个峰值都有增大,表明退火处理增强了薄膜的晶化。另外,退火处理能显著降低 薄膜表层原子的最大法向受力和应力。因此,要获得结构致密的高质量薄膜,需要 在适当的沉积生长条件下并通过退火处理来制备。
关键词:薄膜材料,表面和界面,扩散输运,渗透,退火, 表面粗糙度,分子动力学模拟
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