离子注入GaN的拉曼散射研究-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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离子注入!# 的拉曼散射研究!
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张纪才 戴 伦 秦国刚
(北京大学物理学院,北京 #$$%#)
应丽贞 赵新生
(北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室,化学与分子工程学院物理化学研究所,北京 #$$%#)
( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿)
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研究了离子注入前后 的拉曼散射光谱,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰,如 ,
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和 0 # 峰的性质,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系 上述三个拉曼散射峰的强
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度都随注入元素原子量的增加而降低 当注入剂量增大时, 和 0 # 峰值强度减少,而 0 # 峰值强度却增
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大 随退火温度的升高,这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低 对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了
1 1
分析和讨论1
关键词: ,离子注入,拉曼散射,局域振动
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, ,,和 等离子注入 中,注入剂量在
# 引 言 = ? 2 @ )* )*+ 3
6 #$#’ —- 6 #$#3 ./0 ’ 范围内,发现离子注入会在)*+
)*+ 基器件在高亮度蓝、绿光发光二极管和蓝 中引起一些与注入离子种类无关的拉曼散射峰,如
光激光二级管以及高温大功率微波器件等领域都有 , 和 0 # 峰等 我们在 #3 — #
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着重要和广泛的应用潜力与良好的市场前景1 制备
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