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基础理论 热释电探测器的转换原理与参数释义 基础理论 1 基础理论 热释电效应很早就为人们所知道（公元前 4 世纪由 Eresos 的 Theophrastos 发现）。第一次使用今天所熟知的 “热释电”这个名字则是在1824 年，由苏格兰物理学家 David Brewster （1781 – 1868）提出，光学领域著名的 布鲁斯特角（Brewster‐angle ）也是以他的名字命名。    热释电效应在传感器技术上的广泛应用始于 1970 年。现今，热释电探测器因其构造简单，坚固耐用以及性能 优异成为深受欢迎的热学红外探测器。    热释电探测器的核心部件是热释电芯片，它是一种特殊性能的单晶材料。此单晶是由带反向电荷的单元组成， 例如，规律排列的带电离子，也就是所谓的晶格。在描述晶体的 32 种点群中有 10 种具有极性，即负电荷中心 和正电荷中心不重合，此类晶体具有自发极化现象并且存在晶轴。由于自发极化强度和温度有关，故此类晶体 具有热释电效应，传感器技术也正是应用了此效应。热释电单晶（热释电材料）需要减薄并且在垂直于晶轴方 向的表面镀上电极，上表面电极还需要镀上一层吸收层（黑化层）才能使用。当红外辐射到达这一吸收层，热 释电材料升温，表面电荷形成；如果辐射消失，反向极化电荷产生。但是这一电荷非常小，我们利用极低噪声、 低漏导场效应管（JFET ）或者是运算放大器（OpAmp ）在电荷被晶体内部电阻形成的回路中和之前，转化成电 压信号。    我们将通过逐一分析能量转化的步骤，系统地解释热释电探测器的工作原理：   光‐热转换，即，从红外辐射变化到温度变化。   热‐电转换，即，从温度变化到电荷的产生。   电荷通过应用电路转换成电流或者电压，也就是探测器的输出信号。        1 基础理论– 第 3 页 基础理论 1.1 光-热转换 到达探测器窗口的辐射通量Φ以透过率T 通过光学滤光部件，随后入射到热释电芯片上。这一辐射引起热释电 芯片温度的升高为Δϑ ，此参数与光学吸收A 成正比，与芯片热容H 成反比。与此同时，此热量又会通过环境 （特别是芯片支架）耗散，此时温度为 ϑ ，这一过程也可用热导率G 来表征。这两个过程是对立的（由热沉 现象加热和由热导现象冷却），我们可以在热导方程中用热传导率参数来描述。此方程是有边界条件和初始条 件的偏微分方程。    热沉   图 1：热学模型  图 2：等效电路    我们从另外的角度来分析此方程，从实际应用考虑，分析稳态条件下的响应即已足够。可以将每一周期的信号 看成正弦信号一个周期内的总和。采用类似于谐振电路的分析方法画出热等效回路，我们可以通过时间常数的 定义来获得简易的处理方式，由此得出热释电芯片上温度的升高为：    A T Φ Δϑ   (1)  G