相变域硅薄膜材料的光稳定性!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ # #%%* # ， ， ， 19 3’’ B 3# ,78:J6:G #%%* （ ） !%%%-$#R%M#%%*M’’ %# M%R(-%’ S0TS .AU4V0S 4VBV0S #%%* 0W@= 3 .WG 3 4K 3 相变域硅薄膜材料的光稳定性! ） ）） ） ） ） ） ! ! # ! ! ! ! 王 岩 韩晓艳 任慧志 侯国付 郭群超 朱 锋 !） !） !） !） !） 张德坤 孙 建 薛俊明 赵 颖 耿新华 !）（南开大学光电子薄膜器件与技术研究所， 光电信息技术科学教育部重点实验室， 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室，天津 $%%%!） # ）（河北工业大学材料科学与工程学院，天津 $%%!$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%’ ( #) #%%’ * * 采用+,-./012 技术，通过改变反应气体的硅烷浓度制备了一系列不同晶化率不掺杂的硅薄膜材料，研究了工 艺变化对材料结构的影响及材料光电特性同微结构的关系3 随后进行了光衰退试验，在分析光照前后光电特性变 化规律的基础上，认为材料中的非晶成分是导致材料光电特性衰退的主要原因3 在靠近过渡区非晶一侧的硅材料 比普通非晶硅稳定，衰退率较少；高晶化率微晶硅材料性能稳定，基本不存在光衰退；在靠近过渡区微晶一侧的硅 材料虽然不是完全不衰退，但相比高晶化率硅材料来说更适合制备高效微晶硅电池3 关键词：射频等离子体增强化学气相沉积，硅薄膜， （ ）效应，稳定性 4567897:-;:=?@ 4; ： ， ， !## )!!’A $*%, #)%B 率较高、晶粒较大时，可以认为是非晶硅填充在晶粒 !L 引 言 和晶粒间的晶界中，如图! 所示3 硅薄膜（包括非晶硅和微晶硅）太阳电池与其他 技术太阳电池相比发电低成本低，是最有希望获得 低于 元 的光伏技术，近年来获得了较大发展 !% M; 3 目前单结硅薄膜太阳电池最高效率已经达到 !% L !N ，双结叠层太 阳电池 的效率更是超过 ［］ ! 但是非晶硅特有的 效应限制了其使 !!L N 3 4; 用寿命，因此硅薄膜太阳电池的稳定性研究成为除 图 不同晶