北京航空航天大学《电子电路i》第一章 [1.4 fet zq]v2018资料教程.pptVIP

B;N;N;P;N;VDS=0时;N;JFET工作原理（以N沟道为例）：;N沟道JFET在vGS=0时的输出特性曲线：;N沟道JFET，VDS对沟道影响 VDS=0，VGS增加时，沟道变化； VGS=0，VDS增加时，沟道变化；; N沟道JFET伏安特性曲线;转移特性描述的是：vDS一定时，vGS对iD的控制特性。; 输出特性曲线;2. 放大区（恒流区）和JFET的大信号特征方程;考虑沟道长度调制效应以后的JFET大信号特性方程：;关于λ的解释：; 结型场效应管的缺点：; MOSFET，是由金属（M），氧化物（O），半导体（S）构成场效应管（FET），故命名为：MOSFET。 MOSFET按照导电沟道的载流子类型可分为N（电子型）沟道MOSFET（简称NMOS管）和P（空穴型）沟道MOSFET（简称PMOS管）；按照导电沟道形成机理，NMOS管和PMOS管有各有增强型（简称E型）和耗尽型（简称D型）两种。 因此，就有四种类型的MOSFET，分别叫做：;P;P;N;N;内容组织;1.4.2 MOSFET的工作原理：; VGS(th)是增强型MOSFET开始形成反型层所需的vGS值，称为开启电压。对E型NMOS管，VGS(th)为正值，对E型PMOS管，VGS(th)为负值。;vGS的控制作用-栅源对沟道的影响演示;E型NMOS管的转移特性曲线：;1.4.2.2 vDS的控制作用;vDS的控制作用（漏源对沟道的影响演示）;E型NMOS管的输出特性曲线：; 耗尽型NMOS管和增强型PMOS管工作原理;;1.4.3 MOS管的伏安特性曲线和大信号特性方程;vDS很小时（例如vDS0.1V），可简化为：;3. 饱和区（恒流区）; E型PMOSFET的一阶V/I特性;与和JFET相同的是，IDSS和VGS(off)是描述它们特性的重要参数。JFET和D型NMOS管都是耗尽型，故用相同的符号VGS(off)表示夹断电压。增强型管用VGS(th)表示开启电压。;;二、二阶效应;2. 沟道长度调制效应;1.4.4a FET 的小信号模型;式中：gm0是VGS=0时的跨导。;JFET的低频小信号模型：;1.4.4 MOSFET的小信号等效模型;饱和区（恒流区）;线性区;（式1.4.25） P42;饱和区;式中：gmb表示背栅跨导； gm表示转移跨导。;场效应管（FET）小结 特点： 电场控制电流-输入电阻高 仅多子导电-温度稳定性好 类型： 结型：JFET N沟道、P沟道 绝缘栅型MOSFET ：N沟道D/E；P沟道D/E; 原理： JFET利用PN结反向电压控制耗尽层??度，改变沟道宽窄，控制漏极电流； MOSFET利用栅源电压改变表面感生电荷，控制漏极电流。;作业 P52：1.15-1.19;随堂小测试（5min）;1. JFET的低频小信号模型：;2. MOSFET的小信号交流等效模型：