场效应晶体管资料讲解.pptVIP

场效应晶体管;（一）N沟道增强型MOS管的结构和工作原理;2.工作原理;（2）栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用;（3）漏源电压uDS对漏极电流iD的影响;（二）N沟道增强型MOS管的特性曲线;可变电阻区（非饱和区）; 截止区;2.转移特性;（三）N沟道增强型MOS管的主要参数; 1.直流参数;2.交流参数;3.极限参数;是指在uDS=0时，栅源极间绝缘层发生击穿，产生很大的短路电流所需的uGS值。击穿将会损坏管子。;（四）N沟道耗尽型MOS管;输出特性;3.主要参数;二、结型场效应管;当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也属于耗尽型场效应管。;s;;-uGS(V);三、场效应管的特点;注意：MOS管在使用时应避免悬空，保存不用时必须将各级间短接；焊接时电烙铁外壳要可靠接地。;（４）场效应管的跨导gm的值较小，双极型晶体管的β值很大。在同等条件下，场效应管的放大能力不如晶体管高。;(7）场效应管是依靠多子导电，??此具有较好的温度稳定性、抗辐射性和较低的噪声。;本 节 要 点;输出特性;本 章 小 结;将两种杂质半导体制作在同一个硅片（或锗片）上，在它们的交界面处，扩散运动和漂移运动达到动态平衡，从而形成PN结。;二、半导体二极管;三、晶体管;四、场效应管