磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究-摩擦学学报.PDFVIP

第 25 卷　第 5 期 摩 擦 学 学 报 25, 　 5 V o l N o 2005 年 9 月 TR IBOL O GY Sep , 2005 磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究 李秀娟, 金洙吉, 康仁科, 郭东明 (大连理工大学 精密与特种加工教育部重点实验室, 辽宁 大连　116024) ( ) 摘要: 利用CP 4 型抛光试验机对直径为 50. 8 mm 、表面沉积厚 530 nm 的铜硅片 表面粗糙度R a 为 1. 42 nm 进行化 学机械抛光(CM P ) 试验, 评价了CM P 过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率; 利用 ZYGO 表面形貌分析系 统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度; 采用扫描电子显微镜分析 CM P 后的铜硅片表面损伤形貌. 结果 表明, 磨料的浓度和粒径直接影响CM P 过程的摩擦系数: 采用 5% 粒径 25 nm 硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超 纯水抛光时的摩擦系数; 当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大. 在相同试验条件下, 采用 10% 粒径 25 nm 硅溶 胶抛光材料的去除率为 50. 7 ; 粒径为 1 白刚玉磨料的抛光材料去除率为 246. 3 ; 单纯磨料使铜硅 nm m in m nm m in 片表面变得粗糙, 即用 10% 粒径 25 nm 硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(R a 值达 3. 43 nm ) ; 在单纯磨料 或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤. 关键词: 铜化学机械抛光(CM P ) ; 摩擦; 磨料; 材料去除机理 中图分类号: TN 305; TH 117. 2 文献标识码: A 文章编号: (2005) 05043 105 　　深亚微米集成电路( IC ) 制造中的铜化学机械平 1　实验部分 坦化( ) 已成为多层布线大马士革镶嵌工艺 Cu CM P [ 1 ] 的关键技术 . 在 过程中, 工件以一定的压 试验在 1 000 级超净环境下进行, 恒温 25 ℃. 采 Cu CM P 力与抛光垫接触并进行相对运动, 在工件与抛光垫之 用美国CE TR 公司的CP 4 型抛光试验机进行抛光 ( 间流动的抛光液 由亚微米或纳米级磨粒和化学溶液 试验. 抛光系统由载有抛光垫的抛光盘、硅片的抛光 ) 组成 与铜发生化学反应, 工件表面形成的化学反应 头、修整盘和抛光液输送系统组成. 其中, 抛光盘和抛