一种关于晶硅电池背面钝化和表面局域接触新技术.pptVIP

部门：研发部 姓名：张杰 一种关于晶硅电池背面钝化和表面局域接触的新技术 2011-7-21 报告摘要 主要参考文献：一种关于晶硅电池背面钝化和表面局域接触的新技术。 文献作者:李大勇等，LG电子太阳能研究小组。 引言： 在晶硅太阳能电池的生产中，使用薄的wafer(150µm)可降低硅原料的消耗。当硅片厚度减薄时在烧结过程中容易造成翘曲问题。而且硅片厚度降低意味着光程缩短，相应的造成有更多的光未能被硅片吸收转化为光生电子-空穴对，而是从硅片中逸出。直接结果是短路电流密度随着电池的减薄而降低。 对此，也提出了一些解决方案，例如钝化发射极和背表面局域接触电池(PERC)，其优点是背面采用介质膜钝化，大大降低了表面复合速率；介质钝化层位于金属层和硅基之间，避免了两者直接接触，可有效降低电池翘曲；介质钝化层的背发射作用，增加了长波长光子吸收。制备高效PERC电池的关键技术是提高表面的钝化程度的同时保证后表面电池。 PERC电池技术概述 一、背面钝化 背表面钝化——需求一种可应用于P型硅表面的介电层来大幅降低硅表面的复 合速率(SRV)。 现在的技术主要有： (1). 通过热效应在硅片面生长一层SiO2薄膜。 (2).采用PECVD技术制备SiNx:H和a-Si:H 叠层来达到降低SRV。 (3). PECVD技术沉积一系列的氧化物和SiNx叠层作为钝化层。 由于介电层和Al的相互影响，在700°C 高温烧结下会导致钝化作用的减弱。近来Agostinelli等研究出一系列的氧化物和SiNx 作为钝化层，与印刷后的Al具有很好的匹配性。运用这种工艺制备的厚度为130µm 面积为100cm2的Cz-Si效率达到17.6%；156cm2 mc-Si电池片效率达到16.7%。 PERC电池技术概述 二、背面局域接触电极 Fig.1 Scheme of PERC solar cells 背面局域接触太阳电池的制备方法包括光刻(Photolithography Process)，机械法(Mechanical scribing )，喷墨打印(Inkjet printing)，激光烧蚀法(Laser ablation)以及激光烧结电极法(Laser-fired contacts；LFC)。 PERC电池技术概述 三、激光烧蚀法 激光烧蚀介质膜是指利用激光有选择性地将电池背面的钝化层烧蚀掉，在钝化层上形成局域接触点。 一是激光器类型的选择，不同的激光光源，激光脉冲时间都会对钝化膜的烧蚀产生不同的效果，最终影响制备的太阳电池的转换效率。 二是，对于不同的钝化薄层，激光烧蚀的机理也不同。对于SiNx 钝化层，激光可以将其直接烧蚀而得到局域接触开孔。对于热氧化SiO2 钝化层，激光首先是被钝化层下面的硅基体吸收，基体硅受到激光作用气化使上面的SiO2 钝化层爆裂，从而得到局域接触开孔。 Fig.2 Microscope image of SiO2 passivation layer locally ablated by laser with different pulse time a)三倍频Nd：YO4 激光器，脉冲时间30ns。 b)二倍频Nd：YO4 激光器，脉冲时间10ps PERC电池技术概述 四、激光烧结电极(LFC) 该方法首先是在钝化膜上沉积金属铝层，然后利用激光的高温将金属熔融，熔融的金属穿透钝化膜而与基体硅形成合金，从而形成背面局域电极。 图3给出了不同激光参数下获得的LFC金相，从图中可以看出，左图由于激光功率较小，导致有部分铝没有穿透钝化层，而加大功率后，右图中电极区铝全部穿透钝化层。 Fig.3 Microscope image of LFC contacts with different laser parameters 不同激光参数得到的LFC局域电极金相 (激光功率：左图右图) 实验原理和方案 本文主要介绍一种高效PERC 电池的制备技术，主要包括丝网印刷技术、SiOx/SiNx/SiOxNy 背电池钝化方法和LFC技术。 一、PERC电池的制备 制备电池所用FZ-Si和mc-Si wafer的厚度为130µm。 1. wafer经过酸溶液制绒(HF:HNO3:H2O) 2. POCl3 扩散(50Ω/sq)、刻蚀(四甲基氢氧化铵)。 3.PECVD技术在wafer表面沉积一层75nm厚的SiNx和100nm厚的SiOxNy薄膜。 4. 在电池的背面沉积SiOx/SiNx/SiOxNy作为钝化层。 5. 印制Al背场 6.正面Ag电极印制完毕后，利用激光技术完成Al与p型硅的局部接触。 结果与讨论 Fig.4 Effective lifetim