超宽带低损耗声表面波滤波器设计与实现-集成电路工程专业论文.docxVIP

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  • 2018-10-21 发布于上海
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超宽带低损耗声表面波滤波器设计与实现-集成电路工程专业论文.docx

超宽带低损耗声表面波滤波器设计与实现-集成电路工程专业论文

万方数据 万方数据 分类号 密级 UDC 注 1 学 位 论 文 超宽带低损耗声表面波滤波器设计与实现 (题名和副题名) 丁 毅 (作者姓名) 指导教师 张 波 教 授 电子科技大学 成 都 曹 亮 研 高 中国电科 26 所 重 庆 (姓名、职称、单位名称) 申请学位级别 硕士 专业学位类别 工 程 硕 士 工程领域名称 集成电路工程 提交论文日期 2012.09 论文答辩日期 2012.11 学位授予单位和日期 电子科技大学 2012 年 12 月 27 日 答辩委员会主席 评阅人 注 1:注明《国际十进分类法 UDC》的类号。 万方数据 万方数据 RESEARCH AND REALIZE OF WIDE PASS BAND LOW LOSS SAW FILTER A Thesis Submitted to University of Electronic Science and Technology of China Major: Integrated circuit engineering Author: Dingyi Advisor: Zhangbo School : School of Microelectronics and Solid-State Electronics 万方数据 万方数据 独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工 作及取得的研究成果。据我所知,除了文中特别加以标注和致谢的地 方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含 为获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。 与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明 确的说明并表示谢意。 作者签名: 日期: 年 月 日 论文使用授权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定,有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁 盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文 的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或 扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 作者签名: 导师签名: 日期: 年 月 日 万方数据 万方数据 万方数据 万方数据 摘 要 摘 要 宽带低损耗声表面波滤波器设计主要采用了倾斜叉指换能器、单向单相周期 结构和叉指换能器电容加权三项设计技术实现,可以满足目前信号带宽宽,插入 损耗低,封装体积小的要求。本课题在宽带低损耗声表面波滤波器设计方法、精 确建模以及工艺实现三个方面做了系统的研究开发工作,到目前已取得了很大的 进步,实现了该类滤波器自主设计和批量生产。 声表面波滤波器设计制造中所采用的精确物理模型是仿真和指导工艺生产的 关键。对于宽带低损耗声表面波滤波器的设计而言,理论设计工作中的核心问题 就是精确物理模型的建立。本文中,通过近似理论得到初始的加权结构(即实际 的物理结构),在此基础上进行建模,然后采用 COM 模型或 FEM/BEM 模型的分 析方法,在周期性的换能器结构基础上对整个换能器单元进行分析优化,得到最 佳的几何尺寸,该结构较常规结构能够实现更好的电性能。COM 模型分析方法和 FEM/BEM 模型分析方法是本文也是声表面波滤波器设计的关键技术,综合了 Plessky 的周期格林函数思想、Y. Zhang 的谐波导纳思想和 Hashimoto 的离散格林 函数思想,同时借鉴了 Ventura 对周期格林函数计算的改进以及水永安利用周期格 林函数理论实现的金属栅格阵下声表面波传播特性的精确而高速的数值计算方 法,开发出了适合宽带低损耗声表面波滤波器建模设计的分析方法,在精度和速 度上都能满足实际应用的需求。 在宽带低损耗声表面波的制作工艺上,除了完成该类滤波器制作工艺问题研 究,还在该类滤波器可靠性问题的研究上做了实验和验证,完成了粘片胶特性和 压电晶体背面开槽工艺对宽带低损耗声表面波滤波器性能及可靠性影响的问题研 究,并通过试验及实际产品的生产和制作,验证了上述工艺方法的有效性和可实 施性。 通过在设计技术和工艺技术上研究,本文较完整的给出了宽带低损耗声表面 波滤波器的设计建模方法和工艺制作方法,并通过实际的应用实例证明了方法的 正确性和有效性。 关键词:声表面波滤波器,单向单相换能器,电容加权,COM 模型,FEM/BEM 模型 I ABSTRACT ABSTRACT ABSTRACT The design of slant low-loss SAW filters mainly consists of slanted IDT analysis, SPUDT IDT analysis and c

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