掺杂对钛酸锶陶瓷介电性能的影响及其机制分析-材料学专业论文.docx

万方数据 万方数据 分类号 密 级 UDC 学校代码 10497 学 位 论 文 题 目 掺杂对钛酸锶陶瓷介电性能的影响及其机制分析 英 文 The Effect of Doping on the Dielectric Property of 题 目 Strontium Titanate Ceramics and Its Mechanism Analysis 研究生姓名 张桂芳 姓名 刘韩星 职称 教授 学位 博士 指导教师 单位名称 武汉理工大学 邮编 430070 申请学位级别 博士 学科专业名称 材料学 论文提交日期 2015 年 5 月 论文答辩日期 2015 年 5 月 学位授予单位 武汉理工大学 学位授予日期 答辩委员会主席 评阅人 2015 年 5 月 A Dissertation Submitted to Wuhan University of Technology in partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Engineering The Effect of Doping on the Dielectric Property of Strontium Titanate Ceramics and Its Mechanism Analysis Doctoral Candidate: Zhang Guifang Major: Materials Science Supervisor: Professor Liu Hanxing Wuhan University of Technology Wuhan, 430070, P. R. China May 2015 博 士 学 位 论 文 掺杂对钛酸锶陶瓷介电性能的影响 及其机制分析 本论文获 国家 973 计划项目(Grant Number: 2015CB654601) 国家自然科学基金项目（Grant Number: 科技部国际科技合作重点项目（Grant Number: 2011DFA52680） 资 助 独 创 性 声 明 本人声明，所呈交的论文是本人在导师指导下进行的研究工作及 取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外， 论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得 武汉理工大学或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一 同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说 明并表示了谢意。 签 名： 日 期： 学位论文使用授权书 本人完全了解武汉理工大学有关保留、使用学位论文的规定，即 学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版， 允许论文被查阅和借阅。本人承诺所提交的学位论文（含电子学位论 文）为答辩后经修改的最终定稿学位论文，并授权武汉理工大学可以 将本学位论文的全部内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、 缩印或其他复制手段保存或汇编本学位论文。同时授权经武汉理工大 学认可的国家有关机构或论文数据库使用或收录本学位论文，并向社 会公众提供信息服务。 (保密的论文在解密后应遵守此规定) 研究生(签名)： 导师(签名)： 日期： 武汉理 武汉理工大学博士学位论文 摘 要 随着脉冲功率系统减小尺寸和减轻重量需求的增长，高储能密度固态电介 质材料成为一个氶待解决的主要技术问题。电介质材料要具有高储能密度，必 须具有较高的介电常数和较高的击穿强度。同时，储能介质具有较高的介电常 数是脉冲功率系统小型化的前提，而储能介质具有较高的击穿强度是脉冲功率 系统高压下应用的基本要求。 因此，为制备出使脉冲功率系统小型化且符合高压脉冲形成线要求的固态 储能介质，本论文选择具有相对较高介电常数和较高击穿强度的 SrTiO3 基陶瓷 作为研究对象，对其进行等价掺杂，以期获得具有更高击穿强度的高储能密度 SrTiO3 基陶瓷。利用 X 射线衍射（XRD）、电子能谱（EDS）、扫描电镜（SEM） 和交流阻抗等测试技术，研究了 Mg、Ca、Zr 等价掺杂 SrTiO3 基陶瓷的制备、 介电性能和储能性能，探讨了等价掺杂 SrTiO3 基陶瓷高温弛豫和电导。 为了获得更高的击穿强度，本文首先以离子半径较小的 Mg2+掺杂 SrTiO3 的 A 位，用固相法制备了 A 位 Mg 掺杂 SrTiO3 陶瓷，即 Sr1-xMgxTiO3 陶瓷。当 x ≤0.020mol 时，Mg 掺杂 A 位；当 x=0.040mol 时，部分进入 A 位，还有部分进 入 B 位，生成了 MgTiO3 杂相。Mg 掺杂使得 Sr