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电子技术基础及实验 襄樊学院 六、 特殊二极管 一、稳压二极管 用特殊工艺制造的用来稳压的二极管（反向应用） 作用：稳压． 等反向电压达到或超过稳压值时，反向电流增大，反向电压被稳定在稳压值上。 常用型号: ２ＣＷ１ ２ＣＷ５６ 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 二、变容二极管 用特殊工艺制成的结电容较大的二极管 利用ＰＮ结的结电容随外加反向电压的增加而减小的特性来作可变电容器使用（反向应用）． 作用：可变电容 常用型号: ＤＢ３０１ ＤＢ３０２ ２ＣＢ１４ ＢＳ－２０ 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 Ｐ型半导体结构 空穴 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 S i 　　Ｐ型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要是空穴导电。 Ｎ型和Ｐ型半导体的导电性能随掺杂浓度而变，但整体仍呈电中性。 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 §1.2 ＰＮ结及半导体二极管 一、ＰＮ结的形成 在一块本征半导体中，掺以不同的杂质，使其一边成为Ｐ型，另一边成为Ｎ型，在Ｐ区和Ｎ区的交界面处就形成了一个ＰＮ结。 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 N区多子 P区多子 P区 N区 施主正离子 受主负离子 N区少子 P区少子 PN结的形成 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 扩散运动：由于载流子浓度差的存在，Ｐ型区空穴（多子）向Ｎ型区扩散，Ｎ型区电子（多子）向Ｐ型区扩散。 N区多子 P区多子 P区 N区 施主正离子 受主负离子 N区少子 P区少子 空间电荷区 PN结的形成 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 扩散运动：由于载流子浓度差的存在，Ｐ型区空穴（多子）向Ｎ型区扩散，Ｎ型区电子（多子）向Ｐ型区扩散。 扩散运动使Ｐ区失去空穴，留下负离子，Ｎ区失去电子，留下正离子，形成一个很薄的空间电荷区（ＰＮ结） P区 N区 PN结 空间电荷区 PN结 的形成 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 漂移运动：空间电荷区的正负离子间形成了一个内电场，从Ｎ区指向Ｐ区，对扩散运动起阻碍作用，同时，该电场使Ｐ区电子（少子）向Ｎ区漂移，Ｎ区空穴（少子）向Ｐ区漂移，漂移运动使空间电荷减少，空间电荷区变窄。 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 扩散运动使空间电荷区变宽，内电场增强，扩散阻力增大，漂移运动增强，而漂移运动使空间电荷区变窄，内电场减弱，扩散运动增强，当达到动态平衡时，空间电荷区的宽度一定。 ＰＮ结的宽度一般为0.5um 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 二、ＰＮ结的单向导电性 １、ＰＮ结加正向电压（正向偏置） PN结 If 内电场 外电场 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始 最 后 返 回 E ＰＮ结正偏时，两边的多子被推向ＰＮ结，空间电荷区变窄，内电场减弱，扩散运动加强，漂移运动减弱，形成较大的正向电流 If，且随外加电压而变化。 退 出 第 一 帮 助 回 退 前 进 开 始