无机非金属材料基础PPT课件第十章 烧结教学幻灯片.ppt

传质方式 蒸发-凝聚 扩散 流动 溶解-沉淀 原因 压力差 空位浓度差 应力-应变 溶解度 条件 △P＞10～1Pa r＜10μm △C＞n0/N r＜5μm 粘性流动粘度小 塑性流动ι＞η 可观的液相量 溶解度大 固液润湿 特点 蒸发-凝聚 △L/L=0 扩散 中心距缩短 流动并引起颗粒重排 致密化速率高 溶解-沉淀 传质同时又是晶粒生长 公式 工艺控制 温度、粒度 温度、粒度 粘度、粒度 温度、液相数量、粘度、粒度 第四节 晶粒生长与二次再结晶 晶粒生长与二次再结晶过程往往与烧结中、后期的传质过程是同时进行的。 晶粒生长：无应变的材料在热处理时，平衡晶粒尺寸在不改变其分布的情况下，连续增大的过程。 初次再结晶：在已发生塑性形变的基质中出现新生的无应变晶粒的成核和长大过程。 初次再结晶是指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新的无应变晶粒的成核和长大过程。 初次再结晶常发生在金属中，无机非金属材料特别是—些软性材料NaCl、CaF2等，由于较易发生塑性变形，所以也会发生初次再结晶过程。 另外，由于无机非金属材料烧结前都要破碎研磨成粉料，这时颗粒内常有残余应变，烧结时也会出现初次再结晶现象。 初次再结晶的推动力是基质塑性变形所增加的能量。 一般储存在变形基质中的能量约为0.5～1Cal／g的数量级，虽然数值较熔融热小得多，但却足够提供晶界移动和晶粒长大所需的能量。 初次再结晶也包括两个步骤：成核和长大。晶粒长大通常需要一个诱导期，它相当于不稳定的核胚长大成稳定晶核所需要的时间。 二次再结晶： 少数巨大晶粒在细晶消耗时成核长大的过程。 晶粒生长： 细晶粒物料在高温和表面能作用下，形成多晶体，此多晶体的晶粒的增长速率均匀，并将晶粒中的气体完全排除，这种晶粒长大称为晶粒生长。 1、界面能与晶界移动 凸面晶粒表面A处与凹面晶粒的B处而言，曲率较大的A点自由焓高于曲率小的B点。A点原子有向能量低的位置跃迁的自发趋势。 当A点原子到达B点 并释放出ΔG的能量后就稳定在B晶粒内，跃迁不断发生，晶界向着A晶粒曲率中心不断推移。 一、晶粒生长 B晶粒长大而A晶粒缩小，直至晶界平直化，界面两侧自由焓相等为止。 由此可见晶粒生长是晶界移动的结果，而不是简单的晶粒之间的粘结。 flash\烧结晶体生长示意图 晶粒大于六条边时边界向内凹，由于凸面界面能大于凹面，因此晶界向凸面曲率中心移动。 结果小于六条边的晶粒缩小，甚至消灭。而大于六条边的晶粒长大。总的结果是平均晶粒增长。 2、晶界移动的速率 晶粒生长速率随温度成指数规律增加。温度升高和曲率半径愈小，晶界向其曲率中心移动的速率也愈快。 3、晶粒长大的几何学原则 （1）晶界上有晶界能作用，晶粒形成一个在几何学上与肥皂泡沫相似的三维阵列。 （2）晶粒边界如果具有大致相同的表面张力，则界面间交角成120度，晶粒呈正六边形。实际多晶系统中多数晶粒间界面能不等。因此从一个三界汇合点延伸至另一个三界汇合点的晶界都具有一定曲率，表面张力将使晶界移向其曲率中心。 （3）晶界上的第二相夹杂物（杂质或气泡），它们在烧结温度下不与主晶相形成液相，则将阻碍晶界移动。 晶粒长大定律： D0 为t=0时，晶粒平均尺寸 讨论： (1)、当晶粒生长后期(理论)：DD0 (2)、实际：直线斜率为1/2～1/3， 且更接近于1/3。 原因：晶界移动时遇到杂质或 气孔而限制了晶粒的生长。 界面通过夹杂 物时形状变化 5、晶粒生长影响因素 1) 夹杂物如杂质、气孔等阻碍作用 长时间烧结后，应当从多晶材料烧结至一个单晶，实际上因存在第二相，夹杂物如杂质、气孔等阻碍作用使晶粒长大受到阻止。 flash\杂质穿越晶界示意图 晶界移动时遇到夹杂物。晶界为了通过夹杂物，界面能就被降低，降低的量正比于夹杂物的横截面积。 通过障碍以后，弥补界面又要付出能量，结果使界面继续前进能力减弱，界面变得平直，晶粒生长就逐渐停止。 随着烧结的进行，气孔往往位于晶界上或三个晶粒交汇点上。气孔在晶界上是随晶界移动还是阻止晶界移动，这与晶界曲率有关，也与气孔直径、数量、气孔作为空位源向晶界扩散的速度、包围气孔的晶粒数等因素有关。 在烧结初期，晶界上气孔数目很多，此时气孔阻止晶界移动，因而Vb=0。 烧结中、后期，温度控制适当，气孔逐渐减少。可以出现Vb=Vp，此时晶界带动气孔以正常速度移动，使气孔保持在晶界上，气孔可以利用晶界作为空位传递的快速通道而迅速汇集或消失。 气孔在三晶粒交汇点聚集