集成电路制造工艺流程56z2pyx3.pptVIP

* 韩 良 1.2.7 LDD注入 在P+（N+）有源区注入前可以进行LDD注入，以便减小短沟道效应和热载流子效应。 用Pplus版光刻后进行PMOS管LDD注入， 用Nplus版光刻后进行NMOS管LDD注入， 都是以光刻胶膜作为注入遮蔽膜。 LDD注入之后，先制作侧墙，然后再进行P+（N+）有源区光刻、注入。 * 韩 良 1.2.8 接触孔掺杂 为了改善有源区接触孔特性，在光刻接触孔之后、回流之前， 用Nplus 版光刻，对接触孔进行N+注入 用Pplus 版光刻，对接触孔进行P+注入 * 韩 良 1.2.9 其它MOS工艺简介 双层多晶：易做多晶电容、多晶电阻、叠栅MOS器件，适合CMOS数/模混合电路、EEPROM等 多层金属：便于布线，连线短，连线占面积小，适合大规模、高速CMOS电路 P阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 E/D NMOS工艺 * 韩 良 * 1.2.10 练习 1.阐述N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺的主要流程，说明流程中需要哪些光刻掩膜版及其作用。 2. 何为硅栅自对准？ * 韩 良