赛威科技-系统应用故障排除表v1.0.PDFVIP

赛威科技-系统应用故障排除表 2018.3.23 序号 不良现象 问题状态 不良原因与对策 1、如果客户为了解决EMI 在MOS管DS极并联的电容过大。建议电容使用在68PF以内。 2、RCD吸收过重。在不超过MOS的最大峰值电压的情况下建议吸收电阻使用100-200KΩ左右，电容使用在1nF-10nF左右。 3、MOSFET驱动电阻过大，导致上升时间太长。兼顾EMI的前提下,SSR系统建议上升时间设计为200nS左右 。 4、肖特基二极管的正向导通压降太大。建议使用低压降的肖特基或够用的情况下尽量选择低耐压的二极管。 5、滤波电感线径过小，加大电感的线径。建议电流密度做到6A/mm²。 6、变压器线径选择不合理，铜损过大。考虑趋肤效应的前提下”增加线径，减小铜损，或者使用多股线径并饶,建议电流密度做到 6A/mm²。 效 7、假负载过重。不影响环路的情况下加大假负载电阻阻值。 1 率 无法达到能效要求 8、频率设置太高。保证磁芯有余量的前提下PSR系统可以增加电感量，SSR系统可以减小调频电阻降低频率，建议变压器填充系数 在0.85左右。 9、MOS管Rdson 大。使用低Rdson的MOS管或Cool MOS。 10、变压器匝比小，次级肖特基压降大。不饱和的情况下可以增加匝比，控制Dmax 在0.45以内。 11、磁芯截面积小，线圈铜损大。建议使用大一号的变压器设计。 12、赛威PSR IC SF6791 只能做输出USB 六级能效。 13、赛威PSR IC SF6771，SF6772，SF6776，SF6778可以做到输出带线1.5米过六级能效。（线号根据输出电流大小来定） 14、赛威SSR IC SF57XX,SF58XX 系列可以做到输出带线1.5米过六级能效。 （线号根据输出电流大小来定） 1、启动电阻阻值过小。考虑启动时间的情况下一般取值在3～4M 左右。 待 2、假负载过重。不影响环路的情况下加大假负载电阻阻值。 机 3、肖特基二极管的正向导通压降太大。建议使用低压降的肖特基或够用的情况下尽量选择低耐压的二极管。 2 功 无法达到待机要求 耗 4、X电容放电电阻阻值小。符合安规的情况下加大电阻。 大 5、RCD吸收过重。建议重新调整RCD吸收电路。 6、SSR 系统在不破坏系统的情况下，输出电压采样电阻同比例加大。 1、开关纹波大：次级电容容量小。增大电容容量，使用Low ESR 的电解电容或者是固态。 2、开关纹波大：滤波电路不够.增加π型滤波电路。 输 3、开关纹波大：检查PCB LAYOUT。输出滤波回路是否先进输出电解电容然后再输出的顺序走线。 出 4、高频纹波噪