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光折变晶体中全息存储的原理和应用 摘要：介绍了光折变效应和体全息存储的基本原理,主要特点以及提高体全息存储容量的复用方法。并对光折变晶体全息存储应用进行了一些介绍和展望。 关键词：光折变晶体 全息存储 1. 引言 三维体全息存储具有高容量和页面式并行存储的高数据传输速率，以及高冗余度和并行读出等优点，因而应用前景广阔。信息的全息存储由于具有独特的优点而受到人们的广泛关注, 20世纪60年代末发现光折变效应后, 在光折变晶体中全息存储成为研究热点。光折变晶体由于具有制备方便，成本低，无收缩, 电光系数大，灵敏度高等优点受到人们的青睐, 可以认为，光折变全息存储正面临着实用化的重大突破。 正文 光折变效应 光折变效应就是光致折射率变化效应，光折变效应与1966年首先由贝尔实验室的Askin等人在用和进行倍频实验时发现，当用强光照射晶体时可使晶体折射率发生变化，产生“光损伤”。这种光致折射率的变化在暗处可保持相当长的时间。也可以用均匀光照或者或加热方法消除掉。后来人们才把这种效应称为光折变效应。而首次将光折变效应应用于多幅全息存储效应是在本世纪70年代初J.Amodei和D.Staebler等人在一块晶体中存储了500幅平面全息图。光折变效应的机理： 电光晶体中的杂质, 缺陷和空位, 在晶体禁带隙中形成中间能级, 即构成施主和受主能级。在适当波长的空间非均匀分布的光辐照下, 晶体内的施主(受主)被电离放出电子(空穴), 同时, 电子(空穴)从中间能级受激跃迁至导带(价带), 并且在导带(价带)内, 或因浓度梯度扩散, 或在电场作用下漂移, 或由光伏效应而自由迁移。迁移的电子(空穴)可以被重新俘获, 经过再激发, 再迁移, 再俘获, 最终离开光照区而在暗光区被电子(空穴)陷阱俘获。由此导致晶体内空间电荷分布的变化, 从而形成了相应于光场分布的空间电荷场, 再通过线性电光效应, 在晶体内形成折射率的空间调制变化, 即折射率调制的位相光栅。对于厚记录介质, 光栅遍布材料的整个体积, 形成体全息图。这种位相光栅具有可写, 可读, 可擦, 可固定的优良性能, 使光折变材料成为体全息存储的首选材料。[1] 广泛应用的光折变晶体 晶体由于具有较高的电光效应、非线性光学和光折变效应及其他的许多优良的特性，如易于生长、尺寸大、物理化学性能稳定、易于掺杂改性等，在光折变效应的研究中占有重要地位，在全息存储、激光技术等领域应用广泛。[2] 光折变晶体全息存储与再现原理 全息存储中参考光束与物体的反射光束以不同的角度入射到记录平面，二者相互干涉产生全息图。全息图具有类似光栅的结构，当再现由记 录时参考光相同的角度照射时，由于光栅的衍射，产生再现像。因此它不同于 一般的照相过程，它记录的是投射到记录平面上的完整波前，即它不仅仅是记录图像的强度分布，还包括其相位信息。全息图的再现则是用适当参考光以特定角度照射存储介质使衍射光束经受空间调制, 从而较精确的浮现出写入过程中与此参考光相干涉的数据光束的波面。这就是全息存储及再现的基本原理。 全息图的记录和再现 如图1： 图1 全息图记录 全息图的再现 4.体全息存储复用方案 对体全息图进行多重存储是基于体全息图对角度和波长响应的灵敏性等原理。目前, 体全息存储的复用编码技术包括空间复用, 角度复用, 波长复用, 相位复用及其他混合复用技术。 4.1空间复用 将信息页的傅里叶变换全息图阵列记录在存储材料的不同空间区域的技术称为空间复用。 4.2角度复用 体全息图的角度选择性使不同的信息页面可以非相干的叠加在同一空间区域, 存储在介质的共同体积中, 相互之间用不同的参考光角度加以区别, 物光的入射角度通常不变, 这种复用方式称为角度复用, 是大容量全息存储最常用的复用技术, 角度复用常采用透射式和反射式两种光路。如图2： S为物光，R1、R2、R3为参考光，PRC为光折变晶体 图2 4.3波长复用 利用不同的记录 波长在记 录介质的同一体积内记录全息图，该种复用技术被称作波长复用。一般情况下，进行波长复用时每个全息图的参考光和再现光都是采用相同的角度， 区别在不同的波长。虽然波长复用时体全息存储的主要复用方式之一，但由于 激光器的发展还不能达到波长复用的要求，因而这种复用技术大多是从理论上进行研究探讨，纯粹实用的波长复用技术发展比较缓慢 。[3] 4相位复用 在相位复用技术中, 全息图用各自不同的位相编码的参考光束写入和