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太阳电池结构和制造技术 太阳能电池的结构和制造技术 近几年来，受世界太阳能电池发展“热潮”的影响，我国太阳能电池 产业发展空前高涨，本文收集了太阳能电池的一些有关技术，以供读者参 考。 （一）太阳能电池的发展历史： 太阳能电池是产生光生伏打效应（简称光伏效应）的半导体器件。因 此，太阳能电池又称为光伏电池，太阳能电池产业又称为光伏产业。 1954年世界第一块实用化太阳能电池在美国以尔实验室问世，并首先 应用于空间技术。当时太阳能电池的转换效率为8%。1973年世界爆发石 汕危机，从此之后，人们普遍对于太阳能电池关注，近10几年来，随着 世界能源短缺和环境污染等问题円趋严重，太阳能电池的清洁性、安全性、 长寿命，免维护以及资源可再生性等优点更加显现。一些发达国家制定了 一系列鼓舞光伏发电的优惠政策，幷实施庞大的光伏工程计划，为太阳能 电池产业创造Y良好的发展机遇和巨大的市场空间，太阳能电池产业进入 了高速发展时期，并带动了上游多晶硅材料业和下游太阳能电池设备业的 发展。在1997 — 2006年的10年中，世界光伏产业扩大了 20倍，今后10 年世界光伏产业仍以每年30%以上的增长速度发展。世界太阳能电池的 发展历史如表1所示： 表1世界太阳能电池发展的主要节点 （二） 、太阳能电池的种类 （三） 、硅太阳能电池的结构及工作原理 硅太阳能电池的外形及基本结构如图1。基本材料为P型单晶硅，厚 度为0.3—0.5mm左右。上表面为N+型区，构成一个PN +结。顶区表面有 栅状金属电极，硅片背面为金属底电极。上下电极分别与N +区和P区形 成欧姆接触，整个上表面还均匀覆盖着减反射膜。 当入发射光照在电池表面时，光子穿过减反射膜进入硅中，能量大于 硅禁带宽度的光子在N+区，PN +结空间电荷区和P区中激发出光生电子 一一空穴对。各区中的光生载流子如果在复合前能越过耗尽区，就对发光 电压作出贡献。光生电子留于N +区，光生空穴留于P区，在PN +结的两 侧形成正负电荷的积累，产生光生电压，此为光生伏打效应。当光伏电池 两端接一负载后，光电池就从P区经负载流至N +区，负载中就有功率输 出。 太阳能电池各区对不同波长光的敏感型是不同的。靠近顶区湿产生阳 光电流对短波长的紫光（或紫外光）敏感，约占总光源电流的5 —10% （随 N +区厚度而变），PN +结空间电荷2 的光生电流对可见光敏感，约占5 °%左右。电池基体区域产生的光电 流对红外光敏感，占80 — 90%,是光生电流的主要组成部分。 （四） 、太阳能电池的制造技术 晶体硅太阳能电池的制造工艺流程如图2。提高太阳能电池的转换效 率和降低成本是太阳能电池技术发展的主流。 1、具体的制造工艺技术说明如下: 切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片。 清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸(或碱)溶液将 硅片表1AJ切割损伤屋除去30—50um。 制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备 绒面 磷扩散：采用涂布源(或液态源，或固态氮化磷片状源)进行 扩散，制成PN +结，结深一般为0.3—0.5um。 周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上 下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层。 去除背面PN +结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN +结。 制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。 先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法。 制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一 层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，AI2O3，SiO，Si3N4， TiO2 , Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷 法、PECVD法或喷涂法等。 烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上。 测试分档：按规定参数规范，测试分类。 由此可见，太阳能电池芯片的制造采用的工艺方法与半导体器件基本 相同，生产的工艺设备也基本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片 的制造要求，这为太阳能电池的规模生产提供了有利条件。 、太阳能电池的芯片尺寸： 规模化生产太阳能电池的芯片尺寸分别为(103X103) mm2、(125X 125) mm2、(156X156) mm2 和(210X210) mm2 的方片。目前的主流 仍是(156X156) mm2, 2007年将过渡到(210X210) mm2为主流芯片。 最近德国已推出了代表国际最先进的(210X210) mm2硅片全自动生产设 备。 芯片的厚度也愈来愈薄，从一300- 270— 240 -210 -180um，目 前晶体硅片主要使用厚度为210—240um。 、太阳能电池的芯片材料及转换效率： 1、 晶体硅(单晶硅和多晶硅)太阳能电池： 20