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* * * FSB频率:CPU和北桥芯片间总线的速度 * 摸屏由触摸检测部件和触摸屏控制器组成;触摸检测部件安装在显示器屏幕前面,用于检测用户触摸位置,接受后送触摸屏控制器;而触摸屏控制器的主要作用是从触摸点检测装置上接收触摸信息,并将它转换成触点坐标,再送给CPU,它同时能接收CPU发来的命令并加以执行。 表面声波屏 声波屏的三个角分别粘贴着X,Y方向的发射和接收声波的换能器(换能器:由特殊陶瓷材料制成的,分为发射换能器和接收换能器。是把控制器通过触摸屏电缆送来的电信号转化为声波能和由反射条纹汇聚成的表面声波能变为电信号。),四个边刻着反射表面超声波的反射条纹。当手指或软性物体触摸屏幕,部分声波能量被吸收,于是改变了接收信号,经过控制器的处理得到触摸的X,Y坐标。 四线电阻屏 四线电阻屏在表面保护涂层和基层之间覆着两层透明电导层ITO(ITO:氧化铟,弱导电体,特性是当厚度降到1800个埃(埃=10-10米)以下时会突然变得透明,再薄下去透光率反而下降,到300埃厚度时透光率又上升。是所有电阻屏及电容屏的主要材料。),两层分别对应X,Y轴,它门之间用细微透明绝缘颗粒绝缘,当触摸时产生的压力使两导电层接通,由于电阻值的变化而得到触摸的X,Y坐标。 五线电阻屏 五线电阻屏的基层之上覆有把X,Y两方向的电压场加在同一层的透明电导层ITO,最外层镍金导电层(镍金导电层:五线电阻触摸屏的外层导电层使用的是延展性好的镍金涂层材料,外导电层由于频繁触摸,使用延展性好的镍金材料目的是为了延长使用寿命。)只用来作纯导体,当触摸时,用分时检测接触点X轴和Y轴电压值的方法测得触摸点的位置。内层ITO需四条引线,外层一条,共5根引线。 电容屏 电容屏表面涂有透明电导层ITO,电压连接到四角,微小直流电散部在屏表面,形成均匀之电场,用手触屏时,人体作为耦合电容一极,电流从屏四角汇集形成耦合电容另一极,通过控制器计算电流传到碰触位置的相对距离得到触摸的坐标 。 红外屏 红外触摸屏是利用X、Y方向上密布的红外线矩阵来检测并定位用户的触摸。红外触摸屏在显示器的前面安装一个电路板外框,电路板在屏幕四边排布红外发射管和红外接收管,一一对应形成横竖交叉的红外线矩阵。用户在触摸屏幕时,手指就会挡住经过该位置的横竖两条红外线,因而可以判断出触摸点在屏幕的位置。任何触摸物体都可改变触点上的红外线而实现触摸屏操作。 * ITO(氧化铟锡)导电膜玻璃是新型透明导电材料,具有透过率高,电阻率低和较好的蚀刻性能。ITO导电膜玻璃最主要的应用领域为液晶显示器(LCD),是90年代国际上最受重视的平板显示器件,被世界公认为显示器件发展的未来,广泛应用于社会生活中的各个领域。 * * EEPROM:Electrically Erasable Programmable ROM Flash memory和EEPROM都是电可擦写可编程的存储器,它们的原理是将数据以电荷的形式储存在浮栅电极上。与EEPROM相比,Flash在集成度方面有无可比拟的优越性。 Flash是块擦除和编写,而EEPROM是字节编写。有的FLASH 写的电压不是5V 是12V或14V EEPROM 是5V读写。 EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating?gate?transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出,EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating-gate?tuneling?oxide?transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim?tuneling。但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。 * EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能一大片一大片的擦。因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个(SST的除外,类似于两管),所以CYCLING 的话,EEPROM比FLASH 要好一些,到1000K次也没有问题的。对与用户来说,EEPROM和FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。 * (程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直
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