薄膜基板芯片共晶焊技术的研究.docVIP

薄膜基板芯片共晶焊技术的研究 　　摘 要：共晶焊是微电子组装技术中的一种重要焊接工艺，在混合集成电路中得到了越来越多的应用。文中简要介绍了共晶焊接的原理，分析了影响薄膜基板与芯片共晶焊的各种因素，并且选用Ti/Ni/Au膜系和AuSn焊料，利用工装夹具在真空环境下通入氮、氢保护气体的方法进行薄膜基板芯片共晶焊技术的研究。 　　关键词：共晶焊；空洞；剪切强度；接触电阻 　　随着集成电路向着高性能、高密度、高可靠性以及小型化、低成本的方向发展，对芯片的安装焊接工艺提出了更高的要求，将芯片与基板或管壳互连时，主要有导电胶粘接和共晶焊接两种方法，在高频电路大功率芯片的安装中，由于导电胶的电阻率大、导热系数小，会造成器件损耗大，管芯热阻大，结温高，影响功率输出和可靠性。而共晶焊接具有连接电阻小，传热效率高，散热均匀，焊接强度高、工艺一致性好等优点，所以特别适用于高频、大功率器件和有较高散热要求的功率器件的焊接。 　　近几年来，共晶焊技术在集成电路中得到了广泛的应用，本文针对高可靠薄膜基板芯片共晶焊工艺应用需求，研究了真空气氛、焊接金属化膜层、焊接压力以及温度、时间对芯片共晶焊可靠性的影响，并在试验的基础上，优化了各工艺参数。以满足高可靠薄膜基板芯片共晶焊工艺的应用需求。 　　1 试验 　　1.1 试验基板的制备 　　基板采用Al2O3陶瓷基板，共晶焊区采用磁控溅射或蒸发制备复合薄膜，通过