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蓝宝石缺陷产生机理及改进的方法的研究 　　摘 要：在蓝宝石晶体的制备过程中，常见的晶体缺陷主要有晶体开裂、气泡与空腔、杂质及色心、位错等，缺陷的产生极大影响了晶体的使用性能。文章从几种缺陷的产生机理着手，提出了有效降低晶体中缺陷率的措施，对生长大尺寸、高质量的蓝宝石晶体具有重要意义。 　　关键词：蓝宝石单晶；晶体缺陷；产生机理；改进方法 　　中图分类号：O782 文献标志码：A 文章编号：2095-2945（2018）03-0074-02 　　Abstract： In the process of sapphire crystal preparation， the common crystal defects mainly include crystal crack， bubble and cavity， impurity and color center， dislocation， and so on. Based on the mechanism of several defects， this paper puts forward effective measures to reduce the defect rate in crystals， which is of great significance for the growth of large-size and high-quality sapphire crystals. 　　Keywords： sapphire single crystal； crystal defect； generation mechanism； improving method 　　1 概述 　　蓝宝石（Sapphire），又称白宝石或刚玉。蓝宝石晶体的热学性能以及光学性能优良，化学性质稳定，广泛应用于光学和微电子领域，尤其是用作高亮度GaN基发光二极管（LED）的外延基片材料。LED市场的迅猛发展，要求生长出大尺寸、高质量、性能稳定的蓝宝石晶体，这就对蓝宝石生长技术提出了更高要求。但在蓝宝石单晶的生长过程中，往往会产生一些显著影响蓝宝石性能的缺陷，比如位错、杂质及色心、气泡、晶体裂纹等。 　　2 几种常见的晶体缺陷产生机理 　　2.1 晶体裂纹 　　在生长过程中晶体内部各种应力的产生将引起应变， 当应变大于晶体本身的塑性极限时，晶体将产生裂纹。晶体中的应力主要包括以下三种： 　　（1）热应力：热应力是由于晶体受热不均匀而存在温度差异，导致晶体各处膨胀或收缩变形不一致，晶体各部分间相互约束而产生的一种内应力。因此只要晶体内存在温度梯度，就会存在热应力。 　　（2）化学应力：晶体中各种组分不均匀分布造成的。 　　（3）机械应力：晶体生长过程中的机械振动造成的。 　　在蓝宝石单晶生长过程中，热应力是所有应力中最重要的一种形式，导致晶体中热应力过大的主要原因包括以下几方面： 　　（1）生长速率过快。 　　（2）温场不合理，温度梯度过大。 　　（3）冷却速率过快。 　　（4）晶体取向。 　　（5）晶体大小。 　　2.2 气泡和空腔 　　由于蓝宝石晶体的生长温度高达2300K，因此晶体中的空位浓度极高，随着晶体的生长，温度会逐渐减小，平衡浓度随之降低，导致晶体中的空位浓度超过了平衡浓度，达到过饱和状态。若晶体缓慢降温，这些过饱和的空位可以向晶界和表面扩散或被吸收；若降温过快，这些空位无法及时扩散，从而导致此处空位不断聚集，形成空位团[1]。 　　2.3 位错 　　位错（Dislocation）是一种具有特殊结构的晶格缺陷，实际晶体在结晶时受到外界环境或内部各种应力的作用，晶体内部的质点排列发生变形，不再有序排列成理想晶格状态，导致晶体中出现一种线性缺陷，称为位错[2]。 　　蓝宝石晶体中出现的位错源头，主要包括以下三方面： 　　（1）原生位?e：若选用的籽晶中存在位错，可以通过生长延伸到新晶体中。籽晶中的位错包括籽晶自带的位错，加工过程中应力过大而产生的位错以及在引晶过程中热冲击产生的位错。 　　（2）晶体生长过程中产生位错。其主要来源有： 　　a.界面附近晶体轴向和径向温度梯度产生热应力，二者均超过临界值。 　　b.组分偏析引起晶格常数的变化：熔体中由于杂质原子的存在，在凝固过程中会导致晶体先后凝固，从而存在成分差异，可能形成位错。 　　c.点缺陷（空位与填隙）引起局部应力集中。 　　d.机械振动的影响，导致晶体偏转或弯曲，在相邻晶块之间出现位相差，从而形成位错。 　　（3）晶体内部的孪晶、晶界等界面和微裂纹的附近，容易出现应力集中，如若此应力超过滑移应力时，该区域晶体发生滑移时，则会在此区域产生位错。 　　2.4 杂质原子及色