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物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
June Acta Phys. -Chim. Sin. 2015, 31 (6), 1207-1214 1207
[Article] doi: 10.3866/PKU.WHXB201504142
nc-Si:H/c-Si 硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化
乔 治1,2 解新建1 薛俊明3 刘 辉1 梁李敏1 郝秋艳1 刘彩池1,*
1 2
( 河北工业大学光电功能晶体材料河北省工程实验室, 天津300130; 石家庄铁道大学数理系应用
物理研究所, 石家庄050043; 3 河北汉盛光电科技有限公司, 河北衡水053000)
摘要: 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄
膜, 研究了硅烷浓度(C )对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响. 将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢
S
化纳米晶硅/ 晶硅(nc-Si:H/c-Si)硅异质结(SHJ)太阳电池中, 研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响. 实
验发现: 随着硅烷浓度的降低, 本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧
变化; 本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定. 靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光
敏性, 氢含量最高, 带隙态密度低, 且主要以SiH 形式成键, 对硅片表现出优异的钝化性能, 使电池的开路电压
大幅提高. 但是, 当薄膜的厚度过小时, 会严重影响其钝化质量. 本实验中, 沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为
6% (摩尔分数), 且当薄膜厚度为~8 nm 时, 所制备电池的性能最好. 实验最终获得了开路电压为672 mV, 短路
电流密度为35.1 mA· cm-2 , 填充因子为0.73, 效率为17.3%的nc-Si:H/c-Si SHJ 太阳电池.
关键词: 本征硅薄膜; 射频等离子体增强化学气相沉积; 界面钝化; 少子寿命; 硅异质结太阳电池
中图分类号: O649
Optimization of Intrinsic Silicon Passivation Layers in
nc-Si:H/c-Si Silicon Heterojunction Solar Cells
QIAO Zhi1,2 XIE Xin-Jian1 XUE Jun-Ming3 LIU Hui1
LIANG Li-Min1 HAO Qiu-Yan1 LIU Cai-Chi1,*
1
( Engineering Laboratory of Photoelectric Functional Crystals in Hebei Province, Hebei University of Technology, Tianjin 300130,
P. R. China ; 2Institue of
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