多壁碳纳米管阵列场发射研究！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ,’ !% % !% ， ， ， 4BC +,’ AB + !% D191-E1* % （ ） !’%(2%2,’ !% 2’(%5 )?6) :@=7?) =7A7?) #% ?F./ + :FGH + =B9 + 多壁碳纳米管阵列场发射研究! 宋教花 张耿民 张兆祥 孙明岩 薛增泉 （北京大学电子学系，北京 !#$!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % ’ ( % ’ ’ 研究了 离子束轰击及温度对多壁碳纳米管阵列场发射性能的影响 经 离子轰击 后，发现阵列顶端 )* + )* ’, -./ 的 催化剂颗粒明显减少，弯曲的顶部被轰击掉，使碳纳米管的场发射电流明显减小而场发射像无明显改变 温 01 + 度的增加引起碳纳米管的场发射电流也随之增加+ 还研究了在透明阳极技术中涂在阳极的荧光粉对场发射电流的 影响 对同一碳纳米管阵列样品，发现涂有荧光粉的透明阳极使测量到的场发射电流大幅度减小，只是未涂荧光粉 + 阳极电流的 左右 直接用二氧化锡导电膜作阳极时，测得样品的开启场强为 沉积了荧光粉的二氧化 !2’ + !3 42 - + ! 锡导电膜作阳极时，开启场强变为% 3 42 - + ! 关键词：多壁碳纳米管，场发射 ： ， !## $($ $’56 为若荧光屏导电性不够好，电荷不能很好地导出，有 !3 引 言 时则会聚集在屏上，使其荷负电，负电荷在屏表面附 近形成的拒斥电场会抑制场发射电流+ 已有文献直 自从碳纳米管被发现以来，它具有高的长径比、 接利用未涂荧光粉的二氧化锡导电膜作透明阳 ［ ］ 优异的电学性能和化学稳定性，决定了碳纳米管是 极!% ，但涂荧光粉与不涂荧光粉的阳极对场发射电 ［— ］ ! ’ 一种很好的场发射体 ，因此无论是单壁碳纳米 流的影响尚未见报道+ ［— ］ 5 管 还是多壁碳纳米管的场发射都成为人们研究 本文研究了 离子束轰击处理对碳纳米管阵 )* 的热点 一般认为，在外加电场的作用下，电子很容 + 列场发射性能的影响