高电荷态离子与表面作用中.PDFVIP

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高电荷态离子与

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 7F !0 #00/ !0 , , , H=( 67F V= 6 !0 WA=%K2 #00/ ( ) !000:-#10I#00/I7F !0 I7/-.:07 $QR$ PST4UQ$ 4UVUQ$ !#00/ Q5C 6 P+B 6 4=A 6 ############################################################### 高电荷态离子! ! % 与 表面作用中 #$ ’ 的电子发射产额! ) ) )) ) ) )) ) ) ! ! ! # - ! ! . # ! 赵永涛 肖国青 徐忠锋 $%’( )*++’, 王瑜玉 张小安 李福利 詹文龙 !)(中国科学院近代物理研究所,兰州 /-0000 ) # )(西安交通大学应用物理系,西安 /!00.1 ) - )(核科学与技术研究所,伊斯兰堡 ..000 ,巴基斯坦) . )(咸阳师范学院物理系,咸阳 /!#000 ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) #00/ ! !0 #00/ # 1 报道了在兰州重离子加速器国家实验室电子回旋共振离子源原子物理实验平台上,用高电荷态.0 ! 3 ( $2 !! )离子作用于半导体 固体表面时的电子发射产额实验测量 实验中,通过改变炮弹离子的电荷态和引出电压选 !# 45 6 取其不同的势能和动能,系统地研究了入射离子势能沉积和与其在固体中的电子能损对表面电子发射产额的贡 献6 结果表明,作为引起表面电子发射的两个主要因素,单离子的电子发射产额与炮弹离子在固体表面的势能沉积 和电子能损都有近似的正比关系6 关键词:高电荷态离子,势能沉积,电子能损,单离子产额 : , (#)) -.00 -.708 止本领要远远大于普通状态下物质的电子阻止本 !D 引 言 领,因此高电荷态离子在固体中的能量损失要远大 [,] 于单电荷态离子F / 6 研究表明,与单电荷态离子相 “高电荷态离子”是指核外电子高度剥离的重离 比,高电荷态离子引起的离子溅射产额和电子发射 []

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