单片式智能功率IC功率管与使能电路设计.pdfVIP

万方数据 摘要 摘 要 单片式智能功率集成电路具有成本低、体积小、工作稳定等诸多优点，自 20 世纪90 年代中期问世以来已得到广泛应用。功率半导体器件是单片式智能功率集 成电路发展的关键所在，如何提高功率半导体器件的耐压、降低其导通电阻以及 解决其工艺兼容性直接关系着单片式智能功率集成电路的发展。RESURF （REduced SURface Field）技术是设计横向功率半导体器件的关键技术之一，它能 够在保证横向功率半导体器件击穿电压不变的同时，降低横向功率半导体器件的 导通电阻。 本论文的主要目标是设计一款单片式智能功率集成电路中的功率管及使能电 路。要求芯片集成高压（600V ）、中压（40V ）、低压（5V ）器件于一体。该芯片 属于反激隔离型开关电源，耐压600V ，最大输出功率为9W，开关频率为132kHZ， 采用PWM （Pulse Width Modulation ）与PSM （Pulse Skipping Modulation ）相结合 的调制方式，具有过热、过流、欠压等自动保护功能和比较宽的工作温度范围。 本文研究了一种新型Triple-RESURF LDMOS 结构。通过理论分析以及数值模 拟证明Triple-RESURF LDMOS 能够在保持LDMOS 击穿电压不变的同时，极大地 降低LDMOS 的导通电阻。本文给出了制作Triple-RESURF LDMOS 的工艺流程， 针对Triple-RESURF LDMOS 工艺实现两大难题，给出了解决方案，该工艺流程为 兼容高压（600V ）、中压（40V ）、低压（5V ）的BCD 工艺流程。同时本文还设计 优化了Triple-RESURF LDMOS 的版图。 本文具体研究设计了项目涉及的单片式智能功率集成电路中的使能线欠压检 测模块以及X2 信号产生模块。通过数值分析以及软件仿真结合的手段设计优化了 组成模块的相关器件的参数，同时设计优化了两个模块的版图。 关键词：RESURF 技术，高压LDMOS ，击穿电压，导通电阻，单片式智能功率IC I 万方数据 ABSTRACT ABSTRACT Monolithic Smart Power IC (SPIC) has low cost, small volume, stable work, and many other advantages. Power devices are the key of the improvement of the SPIC. RESURF (REduced SURface Field) technology is one of the most important techniques for lateral power devices. RESURF technology can reduce the on-resistance of the lateral power devices in the condition of keeping the breakdown voltage of the lateral power devices. The main goal of this paper is to design a Monolithic SPIC. It should integrate high-voltage (600V), medium-voltage (40V),low