《三极管877》-课件.pptVIP

输入特性曲线 VCE =0 IB /?A VBE /V VBE(on) 0.3V 10V 0 V(BR)BEO IEBO +ICBO VCE一定： 类似二极管伏安特性。 VCE增加： 正向特性曲线略右移。 由于VCE=VCB+VBE WB? WB E B C 基区宽度调制效应 注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。 因此当VBE一定时： VCE??VCB?? ? 复合机会? ? IB ? ?曲线右移。 输出特性曲线 饱和区（ VBE? 0.7V，VCE0.3V ） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结正偏，集电结正偏。 IC不受IB控制，而受VCE影响。 VCE略增，IC显著增加。 输出特性曲线可划分为四个区域： 饱和区、放大区、截止区、击穿区。 放大区（ VBE? 0.7V， VCE0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点 条件 发射结正偏 集电结反偏 VCE??曲线略上翘 具有正向受控作用 满足IC=? IB + ICEO 说明 IC /mA VCE /V 0 VA 上翘程度—取决于厄尔利电压VA 上翘原因—基区宽度调制效应（VCE?? IC略?） 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： 基宽