半导体和纳米材料制备方法.pptxVIP

半导体晶体的生长及纳米材料的制备方法;晶体生长的方法 1.1晶体生长方法的分类 1.2 单晶硅的生长方法 2.半导体纳米材料的制备方法 2.1 物理方法 2.1.1机械球磨法 2.1.2 加热蒸发法 2.1.3 磁控溅射法 2.1.4 静电纺丝法 2.2 化学方法 2.2.1 溶胶凝胶法 2.2.2 水热法 2.2.3 化学气相沉积法（CVD） 2.2.4 刻蚀法 2.2.5电化学阳极氧化法 2.2.6 电沉积法 2.2.7 光照法;1.1 晶体生长方法分类;单晶硅按晶体生长方法的不同，分为直拉法（CZ Czochralski ）、区熔法（ FZ,Float-Zone ）和外延法。直拉法、区熔法生长单晶硅棒，外延法生长单晶硅薄膜。;直拉法的工艺过程;1.籽晶熔接： 加大加热功率，使多晶硅完全熔化，并挥发一定时间后，将籽晶下降与液面接近，使籽晶预热几分钟，俗称“烤晶”，以除去表面挥发性杂质同时可减少热冲击 2.引晶和缩颈：当温度稳定时，可将籽晶与熔体接触。此时 要控制好温度，当籽晶与熔体液面接触，浸润良好时，可开始 缓慢提拉，随着籽晶上升硅在籽晶头部结晶，这一步骤叫“引 晶”，又称“下种”。“缩颈”是指在引晶后略为降低温度，提高拉 速，拉一段直径比籽晶细的部分。其目的是排除接触不良引起 的多晶和尽量消除籽晶内原有位错的延伸。颈一般要长于20mm;3.放肩：缩颈工艺完成后，略降低温度，让晶体逐渐长大到所需的直径为止。这称为“放肩”。在放肩时可判别晶体是否是单晶，否则要将其熔掉重新引晶。单晶体外形上的特征—棱的出现可帮助我们判别，111方向应有对称三条棱，100方向有对称的四条棱。 4.等径生长：当晶体直径到达所需尺寸后，提高拉速，使晶体直径不再增大，称为收肩。收肩后保持晶体直径不变，就是等径生长。此时要严格控制温度和拉速不变。 5.收晶：晶体生长所需长度后，拉速不变，升高熔体温度或熔体温度不变，加快拉速，使晶体脱离熔体液面。;;区熔法：;纳米粒子制备方法;纳米材料的主要形式;光催化机理简介：;锂离子电池机理简介：;2.1 物理方法 2.1.1机械球磨法;2.1.2 加热蒸发法;2.1.3 磁控溅射法;2.1.4 静电纺丝法;Dingyou Tang etc. J. Appl. Polym. Sci. 2015,2, 42326 ; 2.2 化学方法 2.2.1 溶胶凝胶法;2.2.2 水热法;Hao Hu, Haoyan Cheng, Zhengfei Liu, Guojian Li, Qianchen Zhu, and Ying Yu*, Nano Lett. 2015, 15, 5116?5123;Lin Gao, Hao Hu, Guojian Li, Qiancheng Zhu and Ying Yu*,Nanoscale, 2014, 6, 6463–6467 ;Qiancheng Zhu, Hao Hu, Guojian Li, Chenbo Zhu, Ying Yu *,Electrochimica Acta 156 (2015) 252–260;时间的影响：;离子浓度对形貌的影响：;离子对形貌的影响：;2.2.3 化学气相沉积法（CVD）;1. 使 用 如 硅 烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)或四氯化硅(SiCl4)等含硅的小分子, 使其在高温下裂解形成硅原子, 并通过热力学和动力学等因素, 控制结晶成核和晶体生长的过程,以获得硅纳米线等纳米结构。;2.2.4 刻蚀法;碱刻蚀：;2.2.5电化学阳极氧化法;2.2.6 电沉积法;2.2.7 光照法