类氖氙离子基态的双电子复合过程研究-山东大学学报理学版.PDFVIP

　第４８卷　第７期 山　东　大　学　学　报　（理　学　版） ２０１３年７月　 　 　 　 　 　 　Ｖｏｌ．４８　 Ｎｏ．７　 　 　 　 　 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｈａｎｄｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅ） Ｊｕｌ．２０１３　 　文章编号：１６７１９３５２（２０１３）０７００２４０５　　　ＤＯＩ：１０．６０４０／ｊ．ｉｓｓｎ．１６７１９３５２．０．２０１３．１３７ 类氖氙离子基态的双电子复合过程研究  杨建会，范强 ，张建平 （乐山师范学院物理与电子工程学院，四川 乐山６１４００４） ４３＋ 摘要：使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在００１Ｅ ｋＴ １０Ｅ（Ｅ＝３３３２ｅＶ，是类钠Ｘｅ 离子的第 ≤ ≤ Ｉ ｅ Ｉ Ｉ ４４＋ ４４＋ 一电离能）范围内基态类氖Ｘｅ 离子的双电子复合（ＤＲ）速率系数。对类氖Ｘｅ 离子基态ＤＲ过程贡献最大的 ７ ７ 是（２ｓ２ｐ）３ｌｎ′ｌ′双激发自电离组态，对总ＤＲ速率系数的贡献略大于９０％，其中最主要的贡献来自（２ｓ２ｐ）３ｌ３ｌ′， ７ ７ （２ｓ２ｐ）３ｌ４ｌ′组态，占总速率系数的７０％以上。对于通过（２ｓ２ｐ）３ｌｎ′ｌ′类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复 －３ 合过程，ｌ′＞８的贡献可以忽略，ｎ′＞１２的贡献满足ｎ′组态－组态外推法则。 关键词：相对论组态相互作用；双电子复合；速率系数 中图分类号：Ｏ５６２４；Ｏ５６２１　　　文献标志码：Ａ Ｄｅｔａｉｌｅｄｌｅｖｅｌｂｙｌｅｖｅｌｓｔｕｄｙｏｆｄｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｆｏｒ ｎｅｏｎｌｉｋｅｘｅｎｏｎ  ＹＡＮＧＪｉａｎｈｕｉ，ＦＡＮＱｉａｎｇ ，ＺＨＡＮＧＪｉａｎｐｉｎｇ （ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＬｅｓｈａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｌｅｓｈａｎ６１４００４，Ｓｉｃｈｕａｎ，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｄｉｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ（ＤＲ）ｒａｔｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｆｏｒｎｅｏｎｌｉｋｅｘｅｎｏｎｉｎｔｈｅｇｒｏｕｎｄｓｔａｔｅｈａｓｂｅｅｎ ｐｅｒｆｏｒｍｅｄｕｓｉｎｇｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ（ＲＣＩ）ｍｅｔｈｏｄｏｖｅｒａｗｉｄｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｒａｎｇｉｎｇｆｒｏｍ００１Ｅｔｏ